Hynix анонсировала 54 нм 1 Гбит мобильной памяти DDR2 DRAM

Компания Hynix Semiconductor анонсировала разработку гигабитной мобильной памяти DDR2 DRAM, который будет создаваться на основе 54 нм тех. процесса. Как сообщается, этот модуль предназначен для высокопроизводительных мобильных устройств, а его массовое производство планируется начать во второй половине года.

Максимальная частота новой 54 нм мобильной памяти DRAM составляет 1066 МГц. Устройство имеет 32-битный интерфейс входа-выхода, а скорость передачи данных, по утверждению производителя, достигает 4,26 Гб/с при использовании одного канала, и 8, 52 Гб/с – в двухканальном варианте.

По словам представителей Hynix, новая память предоставит потребителям возможность выбора между 2 или 4-битной упреждающей выборкой команд, а также между 16 или 32-битным интерфейсом входа-выхода на одном и том же чипе. Новая мобильная память DDR2 также имеет наполовину меньшее энергопотребление по сравнению с предыдущим поколением мобильной DDR-памяти, а по сравнению со стандартной памятью DDR2 DRAM она потребляет на 30 процентов меньше энергии.

Новая память Hynix соответствует стандартам JEDEC и станет хорошим выбором для следующего поколения мобильной электроники. К примеру, она сможет  применяться в мобильных интернет-устройствах (MID), нетбуках и смартфонах высокого класса для увеличения скорости работы и экономии энергии аккумулятора. Новая 54 нм мобильная память DDR2 DRAM будет доступна в стандартных модулях JEDEC, а также в специальных заказных вариантах. 

Источник новости: DigiTimes