Компания Hynix Semiconductor анонсировала разработку гигабитной мобильной памяти DDR2 DRAM, который будет создаваться на основе 54 нм тех. процесса. Как сообщается, этот модуль предназначен для высокопроизводительных мобильных устройств, а его массовое производство планируется начать во второй половине года.Максимальная частота новой 54 нм мобильной памяти DRAM составляет 1066 МГц. Устройство имеет 32-битный интерфейс входа-выхода, а скорость передачи данных, по утверждению производителя, достигает 4,26 Гб/с при использовании одного канала, и 8, 52 Гб/с – в двухканальном варианте. По словам представителей Hynix, новая память предоставит потребителям возможность выбора между 2 или 4-битной упреждающей выборкой команд, а также между 16 или 32-битным интерфейсом входа-выхода на одном и том же чипе. Новая мобильная память DDR2 также имеет наполовину меньшее энергопотребление по сравнению с предыдущим поколением мобильной DDR-памяти, а по сравнению со стандартной памятью DDR2 DRAM она потребляет на 30 процентов меньше энергии. Новая память Hynix соответствует стандартам JEDEC и станет хорошим выбором для следующего поколения мобильной электроники. К примеру, она сможет применяться в мобильных интернет-устройствах (MID), нетбуках и смартфонах высокого класса для увеличения скорости работы и экономии энергии аккумулятора. Новая 54 нм мобильная память DDR2 DRAM будет доступна в стандартных модулях JEDEC, а также в специальных заказных вариантах. Источник новости: DigiTimes