Компьютеры
29 октября 2009, 12:52

Intel и Numonyx разработали многослойную память на базе фазовых переходов

Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле. Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут обладать более высокой плотностью хранения данных, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.

PCMS

В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCMS. Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCMS формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCMS ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки  фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря данному нововведению стало возможным создание многослойной памяти.

Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи. Более подробная информация будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory), представленном на  International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе (Мэриленд) 9 декабря.

Источник новости: Intel