Представители компании Samsung сообщили, что успешно решены проблемы с 100-нм технологическим процессом, связанные с малым выходом годных чипов и вызванные переходом на новый материал шины – вместо силицида вольфрама теперь будет использован вольфрам.
В компании сообщили также о замене еще одного материала – диэлектрических пленок. Именно эти шаги позволяют сотрудникам Samsung делать смелые прогнозы: они планируют показателя процента годных чипов в 80%.
Таким образом, теперь 100-нм завод Samsung, расположенный в Тайване, по оценкам экспертов, сможет производить до 1 миллиона 256-Мбит чипов DRAM ежемесячно.
Источник новости: DigiTimes
Автор:Михаил Баллак