Компания Hynix сообщила о разработке первых небуферизированных модулей памяти стандарта DDR2-800 объемом 512 Мбайт и 1 Гбайт, которые уже были утверждены компанией ASUS. Модули памяти базируются на 512-мегабитных чипах DDR2-800 SDRAM, произведенных по 90-нм технологическому процессу и работающих при напряжении 1.8 В. Компания для создания 512 Мбайт модулей использует восемь чипов памяти, при производстве 1 Гбайт - вдвое больше - шестнадцать чипов. Новые продукты предназначены для энтузиастов-оверклокеров при проведении "разгона" системы и для установки в высокопроизводительные ПК.
После получения лицензии от основных производителей материнских плат, компания Hynix планирует значительно увеличить производство новых модулей памяти DDR2-800, составив конкуренцию компаниям, уже присутствующим на рынке DDR2 памяти.
Источник новости: VR-Zone Hardware