Компания Micron объявила о разработке SDRAM модулей 1 Гб DDR II памяти, сходных с теми, о которых еще в августе заявила Hynix. Массовое производство запланировано на первый квартал 2004 года. Рабочее напряжение памяти - 1,8 Вольт, изготовлены модули по 110 нм техпроцессу. Сначала выйдут модули с рабочими частотами 400 и 533 МГц в корпусах FBGA.
Источник новости: The Register
Автор:Александр Радаев