Инженеры и исследователи из японской корпорации Seiko Epson изготовили FeRAM-память на основе органических транзисторов, размещенных на гибкой подложке. Устройство, получившее обозначение 1T, позволяет хранить единожды записанную информацию в течение неограниченного времени без необходимости подвода питания от внешних источников.
Разработчики представили информацию и о технологии изготовления новых устройств FeRAM-памяти. В первую очередь происходит вакуумное осаждение золота/хрома на пленку поликарбоната для формирования стоков и истоков транзисторов; второй этап – формирование пленки из органического полупроводника F8T2 при помощи метода центрифугирования; третий – нанесение органического ферроэлектрика VDF/TrFE при помощи все того же центрифугирования; в последнюю очередь происходит формирование затвора транзистора, причем, технология осаждения материала в этом случае весьма схожа с технологией печати, реализованной в обычных домашних струйных принтерах.
Seiko Epson сообщает, что на данном этапе удалось создать на гибкой 4-дюймовой органической пластине девять устройств FeRAM-памяти 1T, размеры которых составляют около 15 мм. Согласно представленной информации, устройства функционируют при напряжении 15 В, причем уменьшить рабочее значение данного параметра не удалось в связи с ухудшением гистерезисных характеристик при уменьшении толщины диэлектрической пленки. Тем не менее, технология перспективна, а, значит, наверняка в ближайшее время будет не только улучшена, но и применена на практике.
Источник новости: techon.nikkeibp.co.jp