Опубликовано 17 декабря 2004, 16:07

Улучшенная ячейка флэш-памяти - улучшенная память

Немецкая компания Infenion сообщила о новом успехе своих исследователей - получение устойчивой ячейки флэш-памяти, размеры которой составляют всего 20 нм. Это позволит увеличить емкость чипов флэш-памяти до 32 Гбит в течение следующих нескольких лет.

Ученые сообщают, что произвели крошечную ячейку при помощи изготовления трехмерной структуры с транзистором в форме плавника. Эта форма позволяет уменьшить утечку тока, а, следовательно, и выделение тепла, и позволяет лучше контролировать электростатические свойства структуры. FinFET (Fin field-effect transistor) - Fin-транзистор полевого типа, накапливает электроны в слое нитрида, изолированного между кремниевым "плавником" и управляющим электродом. Толщина "плавника" составляет примерно 8 нм, который контролируется 20 нм управляющим электродом.

Улучшенная ячейка флэш-памяти - улучшенная память

Улучшенная ячейка флэш-памяти - улучшенная память

Данное устройство требует для хранения одного бита накопления 100 электронов, тогда как нынешние ячейки требуют для этого в 10 раз большее количество электронов.

Таким образом, флэш-память, состоящая из данных ячеек, будет много меньше по размерам, что повышает плотность записи информации, а также будет потреблять (и выделять) меньше энергии.

Источник новости: The Inquirer