Infineon начинает массовое производство 256-Mбит DRAM по 0,14-мкм технологии

Infineon Technologies заявила о начале массового производства 256-Мбит SDRAM, разработанной по 0,14-мкм технологии. Более того, первые образцы 512-Мбит DRAM, исполненной по тому же 0,14-мкм процессу, были уже представлены стратегическим партнерам. Переход с 0,17-мкм на 0,14-мкм технологический процесс дал в результате снижение цены модуля памяти на 30%.

Новый технологический процесс был внедрен на дрезденском заводе Infineon, производящем 200 мм платы, в сентябре. Два других завода по производству DRAM, "Fab Cluster" в Ричмонде и совместное предприятие ProMOS Technologies на Тайване, находятся на конечной стадии перевода производства на 0,14-мкм процесс изготовления модулей памяти.

Источник новости: Пресс-релиз