Наука и технологии
08 мая 2002 в 15:59

Компании Samsung и Toshiba займутся производством ОЗУ для высокоскоростных сетевых приложений

Компании Toshiba и Samsung Electronics объявили о заключении договора о совместной работе по производству новой сетевой динамической оперативной памяти (DRAM), а также по разработке единой спецификации интерфейса DRAM для высокоскоростных сетевых приложений. Партнеры будут самостоятельно производить и продавать микросхемы оперативной памяти, изготовленные в соответствии с единой спецификацией.

Системы памяти высокой плотности сегодня оснащаются модулями синхронной оперативной памяти (SDRAM) или DDR SDRAM (с удвоенной пропускной способностью). Однако быстрое развитие локальных сетей и интернета привело к необходимости создания специальных сетевых микросхем, в которых высокая скорость модулей SRAM (статической памяти) сочеталась бы с высокой плотностью памяти DRAM. Такое сочетание позволило бы значительно повысить производительность оперативной памяти. Для реализации этих функций компании Samsung и Toshiba приступили к разработке специальных сетевых микросхем DRAM.

Сетевые модули DRAM обеспечивают на 50 процентов более высокую скорость чтения и записи, а также более низкое время задержки, чем модули обычной оперативной памяти следующего поколения DDR333. По расчетам компаний Samsung и Toshiba, новая память будет использоваться не только в сетевых приложениях, но и в высокопроизводительных компьютерах.

Фирма Toshiba уже продает специализированную сетевую DRAM для высокоскоростных сетевых приложений, созданную на основе модулей DDR FCRAM объемом 256 Мб совместно с компанией Fujitsu. Начать серийное производство сетевых микросхем Network-DRAM объемом 256 Мб, полностью совместимых с FCRAM, компания Samsung планирует в третьем квартале 2002 года.

Источник новости: Toshiba