Компания Samsung анонсирует 512 Мбит чип DDR-II

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке 512 Мбит чипа DDR-II, удовлетворяющего всем требованиям стандарта JEDEC DDR-II. Представители IBM сообщили о разработке интерфейсного чипа для DDR-II, что означает скорое появление высокоскоростных систем с этой памятью.

По сообщению Samsung, чип памяти может передавать данные со скоростью 533 Мбит/с, но это значение может быть увеличено до 667 Мбит/с, например, при использовании чипа в специальных окружениях или сетевых решениях. Чип выполнен по 0,12-мкм техпроцессу, корпусировка - 60-ball FBGA. Напряжение питания - 1,8 В.

Ожидается, что массовый выпуск 512 Мбит DDR-II начнется в третьем квартале этого года.

Компания Samsung анонсирует 512 Мбит чип DDR-II

Источник новости: Samsung Electronics