Наука и технологии
4 декабря 2001, 11:02

Компания Samsung представляет образцы 36 Мбит SRAM высокой плотности в конфигурациях QDRII, DDRII и NtRAM

Представители компании Samsung Semiconductor сообщили о разработке 36 Мбит модулей QDRII (Quad Data Rate II), DDRII (Double Data Rate II) и NtRAM(No Turnaround Random Access Memory). Все представленные модели разработаны по 0,15-мкм технологическому процессу. Данные модули SRAM высокой плотности позиционируются как решения для сетевого, телекоммуникационного оборудования и систем обработки данных.

36 Мбит модули QDRII и DDRII, по заявлению представителей компании, существенно повышают производительность коммутаторов и маршрутизаторов. В виду растущего спроса на модули памяти с высокой скоростью работы (250 МГц для представленных устройств), производители сетевых приложений уже заказали новую продукцию Samsung.

Линейки модулей QDRII и DDRII от Samsung включают в себя: QDR Burst 2; QDR Burst 4; DDR common Burst 2; DDR common I/O, Burst 4 и доступны в конфигурациях x8, x18 и x36.

Модули NtRAM доступны в конфигурациях x18, x36 и x72.

Корпуса модулей следующие:
QDRII: 165FBGA
DDRII: 153BGA/ 165FBGA
NtRAM(TM): 100TQFP/119BGA/165FBGA/209BGA.

Инженерные образцы 36 Мбит модулей QDRII, DDRII и NtRAM будут доступны в декабре, массовое производство запланировано на середину 2002 года. В настоящее время цены на модули составляют: QDRII: 110 долларов, DDRII: 120 долларов, NtRAM - 100 долларов.

Источник новости: Electic