Наука и технологии
9 апреля 2002, 10:11

Компания Samsung представляет образцы 512 Мбит DRAM для портативных систем и цифровых камер

Компания Samsung представляет образцы 512 Мбит DRAM для портативных систем и цифровых камер

Представители Samsung Electronics сообщили о доступности образцов 512 Мбит памяти SDRAM с низким энергопотреблением для мобильных телефонов, КПК и цифровых камер.

Напряжение питания новых чипов, как и у всех чипов памяти для мобильных устройств, составляет 2,5 В (у обычной памяти этот показатель – 3,3 В). В режиме ожидания новинка потребляет вдвое меньше энергии, чем стандартная SDRAM.

Новые чипы изготовлены по 0,15-мкм технологии, корпусировка - 54-ball BGA (16-разрядная шина) или 90-ball BGA (32-разрядная шина). Поскольку доступны только образцы чипов, информация о цене или дате начала массового производства не сообщалась.

Источник новости: Samsung