Компания MoSys, сообщила о том, что лицензировала технологию встроенной памяти 1T-SRAM отделу полупроводниковых устройств компании Motorola. Лицензированная технология позволит Motorola создавать высокопроизводительные блоки интегрированной памяти высокой плотности. По словам Марка-Эрика Джонса, вице-президента MoSys, технология 1T-SRAM позволит компании не только снизить стоимость производства памяти, но и обеспечит качество и надежность необходимого уровня. К настоящему времени по технологии встроенной памяти 1T-SRAM произведено 20 млн. чипов, общая емкость которых составляет свыше 1 млрд. Гбит. Источник новости: MoSys