Наука и технологии
11 июня 2002, 00:29

Motorola продемонстрировала микросхему MRAM емкостью 1 Мбит

Компания Motorola сделала новый шаг к промышленной реализации технологии производства магниторезистивной памяти (MRAM). Как сообщает EBNews, на конференции VLSI Circuit Symposia в Гонолулу (Гавайские острова) два подразделения американской компании: Motorola Labs и Semiconductor Products Sector продемонстрировали микросхему MRAM, вмещающую 1 Мбит данных. Ранее именно Motorola представила первый MRAM-чип на 256 кбит.

Напомним, что магниторезистивная память объединяет преимущества динамической и флэш-памяти: она имеет малое время доступа (циклы чтения/записи не более 50 нс) и является энергонезависимой. Это делает MRAM крайне привлекательной для использования в мобильных телефонах и КПК, то есть там, где требуется высокая скорость работы при минимальном энергопотреблении.

Представленная компанией Motorola микросхема MRAM выполнена с использованием 0,6-микронного CMOS-процесса на базе подложек диаметром 200 мм и медных межсоединений. Каждая ячейка памяти состоит из одного транзистора и одного магнитного туннельного перехода. Промышленное производство чипов магниторезистивной памяти Motorola собирается начать в 2004 г., а первые промышленные образцы появятся в 2003 году.

Источник новости: EBNews