Наука и технологии
28 августа 2003, 13:02

Новая память для 3G-мобильников

Компания Fujitsu Microelectronics America представила два новых модуля памяти для мобильных телефонов третьего поколения. Новые модули FCRAM (Fast Cycle RAM) обеспечивают большие, чем ранее, скорость и ёмкость и характеризуются меньшим энергопотреблением.

В отличие от 16-разрядных предшественников, изделия MB82DBS02163C и MB82DBS04163B имеют разрядность 32 и 64 соответственно. Как сообщается, это первые модули FCRAM, в которых режим "Burst" реализован как для операций чтения, так и для записи.

Ввод/вывод в обоих модулях осуществляется по 16-разрядной шине, диапазон напряжения питания - от 1,65 до 1,95 В. Частота работы памяти в режиме "Burst" составляет 66 МГц. Временные характеристики новых модулей: Initial access times - 70 нс, Сlock access times - 12 нс, Page access times - 20 нс.

Fujitsu Microelectronics America предлагает новую память как в виде готовых мкросхем, так и в виде технологических пластин - для производителей встроенных систем. Стоимость 32-разрядных MB82DBS02163C в партиях по 100 тыс. штук составит 7 долл., 64-разрядные MB82DBS04163B несколько дороже - 12 долл. США.

Источник новости: Fujitsu Microelectronics America