Наука и технологии
20 августа 2007, 15:05

Новый тип памяти от IBM

IBM взялась за сотрудничество с японской компанией TDK для разработки энергонезависимой памяти, основанной на передаче вращающегося магнитного поля (STT-RAM).

Принцип действия STT-RAM такой: электрический ток подаётся на магнит, в результате чего изменяется направление магнитного поля (сверху-вниз или слева-направо). Данное изменение вызывает разницу в сопротивлении, и различные уровни сопротивления регистрируются как «0» или «1». В текущих планах IBM и TDK разработать действующий 65-нанометровый прототип уже через четыре года но, как отметил главный менеджер исследований энергонезависимой памяти в IBM Билл Галлагер (Bill Gallagher), для этого придётся разработать новый тип записи. На сегодняшний день остались только две принципиально новые разработки: это STT-RAM, над которой сейчас работает IBM и TDK, и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память, разработки которой начаты ещё в 1970 году.

Принцип действия фазопеременной памяти – в различии между состоянием запоминающего вещества. Она будет состоять из множества ячеек с особым материалом. Когда ячейка нагревается до нескольких сотен градусов по Цельсию, состояние вещества в ней меняется с кристаллического на аморфное (и наоборот). Это и будет восприниматься считывающим устройством как «0» и «1».

«STT-RAM и фазопеременная (PCM, PRAM, PCRAM) память – вероятно два лидирующих кандидата на рынок в будущем», - отметил Билл Галлагер. При этом STT-RAM является более быстрым типом памяти, а фазопеременная будет более ёмкой. Пока неизвестно, каких скоростей можно будет ожидать от STT-RAM. Это будет зависеть от хода исследований. Однако уже сейчас известно, что фазопеременная (PRAM) память будет в тысячи раз быстрее, чем обычные жёсткие диски, и несколько быстрее, чем Flash-память. Особенно это касается скорости записи, ведь если запись в ячейку флэшки требует сначала убрать текущий заряд, то в фазопеременной памяти процесс будет происходить сразу. А если учесть, что STT-RAM будет ещё быстрее, то ожидаемые скорости просто радуют.

Источник новости: Silicon.com

Автор: Лев Лотов