Наука и технологии
6 августа 2002, 13:07

Планы Samsung по выпуску микросхем оперативной памяти

Обозревателям Inquirer стали известны новые планы компании Samsung по выпуску оперативной памяти.

Новый родмап Samsung свидетельствует о том, что микросхемы памяти стандарта DDR 400 будут представлены уже в четвертом квартале текущего года. Первые микросхемы DDR 400 с напряжением питания 2,5 вольта будут иметь объем 128 мегабит. Чипы объемом 256 мегабит появятся в первом квартале 2003 года.

Samsung планирует увеличить объемы производства оперативной памяти стандарта DDR 333, однако микросхемы объемом 1 Гб планируется представить только в конце 2003 года.

Уже начались поставки образцов 512-мегабитных микросхем оперативной памяти DDR-II, а в четвертом квартале 2002 года должны появиться модули DDR-II с частотами 667, 533 и 400 МГц, работающие от напряжения 1,8 вольта. Вероятно, эти микросхемы рассчитаны на процессор Intel Prescott, работающий с шиной 666/7 МГц, который будет выпущен в 2003 году.

В планах Samsung выпуск 128-, 256-, 288- и 576-мегабитных микросхем оперативной памяти RDRAM (Rambus). Все эти чипы будут производиться в 2003 году по 0,13-микронной технологии.

Источник новости: Inquirer