Наука и технологии
21 августа 2003, 13:53

PSiRAM - сверхбыстрая оперативная память

Компания Tezzaron Semiconductor (известная ранее как Tachyon Semiconductor), объявила о создании прототипа модуля оперативной памяти c рекордными характеристиками. Псевдостатическая память PSiRAM обеспечивает отклик в течение 1,3 нс, продолжительность цикла обращения 1 нс и пропускную способность 2 Гбит/с на каждом информационном выводе.

Литера "i" в названии новой памяти символизирует электрический ток, потому что её трёхтранзисторные ячейки устроены так, что реагируют на изменение протекающего тока, а не напряжения. Протототип сконструирован в варианте 32-мегабитного модуля в конфигурации 2 Мб х 16 бит. Напряжение питания составляет 1,2 В, но возможна работа и при 0,8 В. В этом случае память работает на частоте 400 МГц и рассеивает всего 0,125 ватт тепловой мощности.

Модуль PSiRAM был изготовлен по 90-нанометровому техпроцессу, размер ячеек памяти составил 0,59 квадратных микрон. Вследствие использования КМОП-логики новая память хорошо подходит для проектирования одночиповых (SoC) устройств. Tezzaron рассматривает возможность лицензирования своей технологии среди производителей SoC-систем.

Массовое производство PSiRAM начнётся в следующем году. Сначала появятся модули, сделанные по 130-нанометровому техпроцессу, позже будет освоено 90-нанометровое производство.

Источник новости: Tezzaron Semiconductor