Наука и технологии
11 апреля 2002, 15:19

Российские ученые разработали полупроводниковую технологию, позволяющую увеличить быстродействие микросхем

Валлийская компания совместно с российскими специалистами Института микроэлектроники Российской Академии наук собирается в самое ближайшее время устроить настоящий переворот в области полупроводниковых технологий.

Разработанная учеными из Ярославля транзисторная архитектура обещает стать успешной альтернативой технологии напряженного кремния (strained silicon).

Напряженный кремний - это кремний с увеличенным, в отличие от традиционно принятого, расстоянием между узлами кристаллической решетки. Бездефектные слои такого материала выращивают на подложке кремния с добавлением германия (SiGe), и это приводит к ускоренному движению электронов. Микросхемы, сделанные на пластинах с напряженным кремнием отличаются лучшим быстродействием на 30-50%. В числе первых производством таких "вафель" из напряженного кремния также планирует заняться другая валлийская компания – IQE.

В отличие от напряженного кремния, технология, представленная ярославцами вместе с их валлийскими партнерами, способна обеспечить качественное увеличение быстродействия транзисторов, не вынуждая всю полупроводниковую индустрию переходить на производство гораздо более мелких устройств.

Как сообщает EE Times, компания Sceptre Electronic из города Монмут в Уэльсе в общих чертах обрисовала суть нового подхода, заключающегося в увеличении быстродействия транзисторов посредством неравномерного легирования полупроводниковых каналов.

По словам представителей Sceptre Electronic, неравномерное легирование повысит мобильность заряженных частиц в транзисторе, тем самым, повысив рабочую частоту полупроводника.

Для организации производства таких транзисторов компанией разработан метод легирования кремния слоем, варьирующимся по толщине от 20 до 100 нанометров. Использование "бегущего ионного луча" (RIB) позволяет получить полупроводники с волнообразной структурой, выступающей в роли микронной маски, обеспечивающей молекулярную самоорганизацию.

"Вместе с русским институтом микроэлектроники мы разрабатывали эту технологию на протяжении нескольких лет, - заявил один из основателей компании Sceptre Леон Рицци. – Бегущий ионный луч с использованием модифицированной камеры ионизации заменит литографию молекулярной самоорганизацией".

По словам Рицци, этот технологический процесс, который легко может быть принят на вооружение производителями традиционных металлоксидно-полупроводниковых структур, превзошел всяческие ожидания.

"Мы сможем с его помощью создавать профили до 8 нанометров толщиной и без масок", - отметил Рицци.

По утверждению представителей компании Sceptre Electronic, вся необходимая документация по внедрению технологии бегущего ионного луча, которая позволит обрабатывать до 36-38 "вафель" в час, будет рассматриваться уже летом этого года.

"Есть только одна проблема, - пошутил напоследок Рицци. – Технология разрабатывалась в России, и поэтому никто в нее не верит. Все приходится доказывать и объяснять по десять раз".

Источник новости: Соб. информация