Наука и технологии
07 мая 2002 в 11:13

Samsung cтавит на сетевую DRAM с уменьшенной задержкой

По информации Silicon Strategies, компания Samsung Electronics сообщила об официальном выпуске "сетевой DRAM" и представляет образцы 256 Мбит памяти в конфигурациях x8 и х16. Тактовая частота ядра памяти - 154 и 200 МГц, в масштабе реального времени эта частота удваивается из-за интерфейса DDR. Производство этих чипов памяти начнется в четвертом квартале.

В настоящее время ведется расширение линейки продуктов, поэтому, можно ожидать ядра с тактовой частотой до 333 МГц и конфигурации х9 и х18. До настоящего времени компания не оглашала подробностей, касающихся новой памяти. Компании Samsung, Fujitsu и Toshiba планируют представить сетевую DRAM и высокоскоростную память, компания Infineon Technologies разработала и представит DRAM c уменьшенной задержкой, лицензированную Micron Technology. Чуть позже в этом году Hynix Semiconductor и Elpida Memory представят третий стандарт памяти с архитектурой DDR- II.

Источник новости: Silicon Strategies