Наука и технологии
15 августа 2002 в 11:38

Samsung начинает массовое производство гигабитных микросхем флэш-памяти

Компания Samsung Semiconductor объявила в среду о начале производства гигабитных микросхем флэш-памяти. Корейская компания намерена производить их по 0,12-микронной технологии, что позволит уменьшить площадь, занимаемую каждой ячейкой, до 100 нм2.

Конструкция новых микросхем Samsung включает 32 банка и расположенный по центру дешифратор строк. Поддерживается увеличенный до 2 кб размер страницы и возможность стирания данных блоками по 128 кб. Благодаря использованию кэширования и других технологий ускорения работы памяти, скорость обмена данными удалось поднять на 70% по сравнению с другими чипами флэш-памяти аналогичной архитектуры.

Максимальная скорость чтения данных для новых чипов Samsung составляет 27 Мбайт/с, а длительность цикла чтения-записи не превышает 50 нс при напряжении питания в 1,8 В. Цены на новые микросхемы Samsung пока неизвестны.

Источник новости: EETimes