Схемы флэш-памяти от Fujitsu

Fujitsu Ltd. представила интегральные схемы флэш-памяти MBM29PDS332TE и MBM29PDS332BE емкостью 32 Мбайт и напряжением питания 1,8 В, разработанные совместно с компанией AMD по технологии 0,23 мкм. ИС поддерживают страничную адресацию, что позволяет сократить время доступа до 45 нс в страничном режиме (в обычном режиме — 120 нс). Внутренняя организация ИС: 1) по 16 Мбайт в банке, банков два; 2) 4 и 28 Мбайт. Кроме этого, новые ИС поддерживают функцию Hi-ROM (Hidden ROM объемом 16 Кбайт), предотвращающую нелегальное копирование и ускоряющую доступ к данным. Основное отличие между ИС состоит в том, что в модификации ТЕ загрузочная область расположена в старших адресах, а в ВЕ — в младших. Гарантированное число циклов стирания/записи — 100000. Потребляемый ток в режиме Standby — 1 мА, в режиме чтения — 21 мА, в режиме стирания — 30 мА. Выпускаются в двух корпусах — пластмассовый планарный TSOP (Thin Small Outline L-lead package) (48 pin) и корпус с балочными выводами для поверхностного монтажа FBGA (Fine Pitch ball Grid Array) (63 pin).