Наука и технологии
12 июня 2002 в 12:27

TSMC уменьшает размер транзисторов на порядок

Тайваньская компания TSMC, один из крупнейших в мире производителей полупроводников, создала устройство, работающее на транзисторах c затвором размером 35 нанометров (0,035 мкм).

Об освоении технологического процесса, который позволяет создавать элементы чипов, в 10 раз меньше существующих, компания объявила в конце января этого года. Новые транзисторы полевого типа (field-effect transistor, FET) названы FinFET, так как по форме напоминают хвостовой плавник рыбы (backfin, по-английски).

При уменьшении размера транзисторов ученые сталкиваются с тем, что они начинают работать нестабильно и сильно разогреваются. FinFET имеет два затвора (часть, ответственная за включение и выключение транзистора), и их использование значительно уменьшает утечку тока и позволяет задавать более высокое напряжение. По словам доктора Чэньмина Ху (Chenming Hu), главного инженера по разработке FinFET, недавно удалось создать транзистор с 25-нанометровым затвором и близко подойти к размеру в 9 нм.

Новые транзисторы можно производить по самой популярной на сегодня комплиментарной металоксидной технологии полупроводников (Complimentary Metal Oxide Semiconductor, CMOS или КМОП), что обеспечивает ее широкое промышленное освоение.

Устройство с FinFET-транзисторами будет продемонстировано на симпозиуме по проблемам сверхвысокой интеграции (Symposium on VLSI Technology), который проходит на Гавайях, в городе Гонолулу.

Источник новости: TSMC