В Samsung разработали двухгигабитный чип флэш-памяти

Компания Samsung Electronics объявила о создании первой в мире микросхеме флэш-памяти емкостью 2 Гбит. Это позволит компании выпускать миниатюрные карты памяти емкостью до 4 Гб и завоевать еще более прочные позиции на мировом рынке микросхем для хранения данных.

Одновременно компания сообщила о намерении вближайшее время начать производство микростем по 90-нанометровой технологии и на базе кремниевых пластин диаметром 300 мм. Новые производственные линии будут использоваться для выпуска флэш-памяти и микросхем DRAM. В частности, именно на новые линии будет переведено производство микросхем DDR SDRAM емкостью 512 Мбит и 1 Гбит.

Одновременно в Samsung сообщили, что компании удалось уменьшить свою зависимость от рынка памяти для персональных компьютеров. Не секрет, что цены на память для них снижаются, а производство становится малорентабельным или вовсе убыточным.

Samsung удалось справиться с этой проблемой, и сегодня 70% выпускаемой памяти составляют высокопроизводительные чипы DDR SDRAM, RDRAM и специальные типы памяти для графических карт. При этом доля Samsung на рынке памяти постоянно увеличивается, и к концу года должна превысить 33%.

Источник новости: AsiaPulse