Наука и технологии
17 апреля 2002, 14:59

Высокопроизводительная флэш-память от Intel

Компания Intel представила флэш-память для сотовых телефонов, а также новые методы изготовления корпусов микросхем флэш-памяти.

Рассчитанная на напряжение 1,8 В новая флэш-память Intel Wireless Flash производится по 0,13-микронной производственной технологии Intel и работает в четыре раза быстрее существующих аналогов. Это позволяет увеличить скорость передачи данных и, следовательно, предоставляет владельцам телефонов с доступом в интернет возможность быстрее просматривать веб-страницы, получать мультимедийную информацию и обмениваться текстовыми сообщениями. Кроме того, новая микросхема обладает меньшим энергопотреблением, что обеспечивает более длительное время работы телефонов без подзарядки батареи.

Флэш-память Intel Wireless Flash будет выпускаться в микросхемах емкостью 64 и 32 Мбит. Микросхемы емкостью 64 Мбит в настоящее время производятся в опытном порядке. Начало их массового производства намечено на август текущего года. Опытное производство микросхем емкостью 32 Мбит начнется в июне текущего года, а их запуск в массовое производство намечен на октябрь текущего года. В течение этого года начнется также опытное производство микросхем емкостью 128 Мбит. Их серийный выпуск запланирован на 2003 г.

В партии 10000 шт. стоимость одной микросхемы емкостью 64 Мбит составляет 14,91 долл. Стоимость одной микросхемы емкостью 32 Мбит составляет 8,97 долл. В настоящее время массовое производство микросхем флэш-памяти всех трех емкостей осуществляется по 0,18-микронной технологии.

Новые методы изготовления корпусов флэш-памяти

На токийском Форуме Intel для разработчиков представители компании рассказали о новом методе изготовления корпусов микросхем, который обеспечивает существенное повышение производительности памяти в сотовых телефонах небольшого размера. В основе нового метода лежит размещение нескольких высокоинтегрированных микросхем памяти и логических микросхем в общем корпусе, а также специальная укладка корпусов для реализации высокоуровневой интеграции кристаллов и увеличения их плотности на меньшей площади. Эффективность нового метода изготовления корпусов важна для устройств малых форм-факторов, например, сотовых телефонов, требующих большого объема памяти, но располагающих жестко ограниченным свободным местом на печатной плате. Опытное производство флэш-памяти с новыми корпусами будет начато уже в этом году.