Тесты модулей DDR400 семи типов от разных производителей. Влияние настроек памяти в BIOS Setup на быстродействие чипсета nVIDIA nForce2.

Всего года полтора назад память DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) начала свой победный путь в качестве системной памяти для персональных компьютеров (и позже - для серверов). А сегодня уже любой ПК среднего и выше среднего уровня не мыслим без DDR DIMM, а серверы на платформе Intel уже почти отказались от использования других видов памяти. (Для видеокарт память DDR стала внедряться раньше и сейчас почти безраздельно господствует на видеорынке). И хотя для ПК начального уровня память SDR SDRAM (PC133/PC100) по прежнему пользуется неплохим спросом (и занимает почти половину списка предложений в нынешних прайс-листах розничных продавцов компьютерных комплектующих), можно с уверенностью сказать, что ее дни сочтены. Как, впрочем, сочтены дни и самой первой DDR-памяти c частотой шины данных 200 МГц (DDR200), которая сейчас пока еще используется в некоторых серверах, но уже практически не используется в десктопах.

На данный момент мэйнстримом в настольных системах можно считать память DDR266 или PC2100. Ее достаточно высокая полоса пропускания (2,1 Гбайт/с) позволяет почти комфортно чувствовать себя современным процессорам AMD Athlon XP и Intel Pentium 4, хотя последним все же не совсем хватает скорости DDR266. Поэтому на смену DDR266 в настольных системах корпорация Intel с недавнего времени активно продвигает память DDR333 или PC2700 с полосой пропускания 2,7 Гбайт/с (см., например, наш обзор), спецификация на которую была утверждена JEDEC всего несколько месяцев назад. Не отстают и платформы на процессорах AMD, где в связи с недавним переходом на системную шину 333 МГц требования к скорости памяти заметно возросли, и именно DDR333 рассматривается в качестве основной памяти будущих систем на Athlon XP. Хотя уже сейчас использование памяти DDR333 приносит весьма весомый прирост производительности для систем как на процессорах AMD (читайте, например, обзоры на www.ferra.ru/online/system/21762, www.ferra.ru/online/system/20799, www.ferra.ru/online/system/20560 и www.ferra.ru/online/system/20800), так и на процессорах Intel Pentium 4 (см. обзоры на www.ferra.ru/online/system/19445, www.ferra.ru/online/system/18460, www.ferra.ru/online/system/17880, www.ferra.ru/online/system/17450, www.ferra.ru/online/system/16382 и www.ferra.ru/online/system/17860). Поскольку вопросы, связанные с применением памяти DDR266 и DDR333 на различных материнских платах и многочисленных чипсетах мы уже многократно освещали в наших предыдущих публикациях на www.ferra.ru/online/system (см., например, список публикаций чуть выше и в конце этой статьи), то сейчас речь пойдет о другом.

А что же память DDR400? Во-первых, ее окончательная спецификация еще не утверждена JEDEC (о трудностях, с которыми это связано, читайте на www.ferra.ru/online/system/20465), хотя в последнее время JEDEC стала проявлять повышенный интерес к DDR400. Во-вторых, DDR400 (или PC3200, полоса 3,2 Гбайт/с, что столько же, сколько для пары модулей RDRAM PC800!) - это не просто «разогнанная» по частоте DDR333, и изменения требуются более существенные (это обусловлено на четверть более высоким тепловыделением, иными таймингами работы и пр.), что закономерно требует более серьезных изменений в чипсетах и платах, нежели простая поддержка новых соотношений тактовых частот для тактовой частоты шины памяти 200 МГц. В третьих, Intel до недавних пор весьма прохладно относилась к DDR400, хотя, судя по последним сведениям, распространяемым, например, вездесущим «The Inquirer», лед тронулся, господа присяжные заседатели, и Intel будет поддерживать DDR400 в своих будущих чипсетах (Springdale, Canterwood) для новых процессоров Pentium 4 c системной шиной до 800 МГц. В четвертых, до сих пор лишь один чипсет nVIDIA nForce2 для процессоров AMD официально (насколько это возможно для «неофициальной» памяти) поддерживает DDR400, а в остальных чипсетах для процессоров AMD (это VIA KT400 и SiS746) и Intel (это SiS645DX, SiS648 и VIA P4X400) поддержка DDR400 носит неофициальный характер и оставляется на «совесть» производителей матерински плат (причем, как правило, дозволяется вставлять не более одного модуля DDR400 в плату для всех чипсетов, кроме nForce2). Наконец, в пятых, многочисленные тесты нынешних систем с памятью DDR400 показывают (подробности см., например, на www.ferra.ru/online/system/20799, www.ferra.ru/online/system/20560 и www.ferra.ru/online/system/20800), что для современных процессоров AMD использование DDR400 не несет ровным счетом никаких выгод и даже в большинстве случаев ухудшает производительность ПК по сравнению с использованием качественных модулей DDR333 (а иногда системы на DDR400 работаю даже медленнее, чем грамотные системы на DDR266). Хотя для процессоров Intel Pentium 4 определенные дивиденды от использования DDR400 вместо DDR333 (и тем более - DDR266) все же есть, хотя они и не настолько велики, чтобы их можно было реально почувствовать «на своей шкуре» (если не брать в расчет кошелек).

Посему, в нонче вопрос о DDR400 носит не столько сиюминутно-практический характер, сколь познавательно-теоретический - с заделом на будущее. Единственную практическую выгоду, которую прямо сейчас, на мой взгляд, можно извлечь из использования модулей DDR400 (если не считать почти незаметного прироста скорости на чипсетах SiS для Pentium 4), уже выпускаемых многими производителями памяти, несмотря на неутвержденную окончательно спецификацию, - это применение их в системах в качестве модулей DDR333, работающих с минимально возможными задержками (таймингами), чтобы еще на пару процентов поднять быстродействие ПК в приложениях (и/или обезопасить себя от сбоев, повысив надежность работы подсистемы памяти, используя модули с большим «запасом» по частоте). Ну а одержимые оверклокеры могут попытаться задрать запредельно при помощи модулей DDR400 частоту системной шины на нынешних чипсетах, чтобы «разогнать» свои процессоры как можно дальше. Таким образом, фактически это уже три веские причины, чтобы прямо сейчас уделить памяти DDR400 наше повышенное внимание. J

В нашем нынешнем практическом исследовании модулей DDR400, присутствующих сейчас на рынке памяти (то есть в магазинах) мы постарались исходить из сугубо практических целей, поэтому здесь не станем касаться некоторых интересных вопросов производства памяти и надежности модулей разных производителей (о них можно почитать, например, на www.ferra.ru/online/system/19343) или теоретических аспектов их функционирования или паспортных технических характеристик (их можно посмотреть на сайтах производителей).

С практической точки зрения нас будут интересовать, прежде всего, три основных вопроса:

1. С какими минимальными таймигами (задержками) модули разных производителей могут работать в качестве DDR400 или DDR333.

2. Каков запас быстродействия модулей по частоте (другими словами - разгоняемость).

3. Как на практике (в реальных приложениях) будет меняться производительность ПК при различных таймингах и частоте работы системной памяти.

Из первых двух пунктов вытекает еще один весьма важный для памяти пункт, который мы будем тестировать косвенно: надежность работы модулей в паспортном режиме эксплуатации.

Скажу сразу - все из семи типов протестированных нами в этой статье модулей работали безупречно в своих паспортных режимах (при настройках по SPD). По крайней мере, насколько это возможно было проверить на обычных ПК программами и спецутилитами под Windows и DOS за несколько недель эксплуатации. Разумеется, на заводах-производителях памяти имеется специальное дорогостоящее оборудование для полноценной проверки качества модулей, воспользоваться которым, в силу вполне понятных причин, мы пока не смогли. J Поэтому все наши тесты проводились на качественной «ширпотребной» системной плате в составе персонального компьютера. Тем не менее, определенную и достаточно достоверную информацию о качестве модулей памяти на такой «непрофессиональной» системе при грамотном подходе все же можно получить. Дело в том, что даже сами производители памяти используют в качестве одной из методик проверки качества так называемые «стресс-тесты»: при повышенной (и пониженной) температуре, на повышенных частотах (и пониженных таймингах) работы и даже при снижении/повышении напряжения питания. В частности, тесты на повышенных скоростях работы в силу особенностей работы ячеек памяти на полевых транзисторах с достаточно хорошей степенью будут свидетельствовать о запасе надежности работы модулей в штатном режиме. Этим хорошо известным и постоянно используемым при производстве микросхем подходом мы и воспользуемся для косвенной оценки надежности тех или иных модулей при их паспортной работе (замечу также, что на повышенных скоростях модули больше греются, то есть такой тест заодно оценивает и термостабильность работы).

Сперва взглянем на участников наших сравнительных испытаний - на сами модули DDR400:

1. Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 (объемом по 256 Мбайт)
2. Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 (объемом по 256 Мбайт)
3. Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256 (объемом по 256 Мбайт)
4. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)
5. A-Data DDR PC3200 на чипах Winbond (по 256 Мбайт, односторонний дизайн PCB)
6. TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5 на чипах Winbond (по 256 Мбайт)
7. Corsair CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1 (по 256 Мбайт)

Модули Kingmax DDR-400 MPXB62D-68KX3 (по 256 Мбайт), любезно предоставленные нам для тестов компанией «Ак-Цент Микросистемс» выгодно отличались от всех остальных чипами (собственного производства) в «более высокочастотной» упаковке BGA, более компактными размерами (высота этих модулей - 25 мм (дюйм), а всех остальных в этом обзоре - примерно 32 мм), что также должно улучшить высокочастотные свойства «подложек» (PCB) благодаря сокращению длины проводников и межсоединений.

Напомню, что модули DDR400 от Kingmax появились на рынке едва ли не самыми первыми - еще летом во время выставки Computex-2002. Маркировку модулей и самих BGA-чипов в паспортным временем доступа 5 нс можно посмотреть на фото выше. От остальных участников нашего обзора эти чипы отличаются вдвое меньшим объемом - 16 Мбайт (32M x 4) против 32 Мбайт у остальных - что потребовало размещения на плате 16 чипов для получения объема 256 Мбайт (на фото выше модуль показан с обоих сторон). Эти модули Kingmax предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц (400 МГц шина данных) с параметром CAS Latency (Column Access Strobe), равным 3 циклам тактовой частоты памяти. Это хуже, чем у модулей некоторых других производителей, однако модули Kingmax были способны стабильно работать и при меньших задержках (см. ниже наши тесты).

Модули Samsung PC3200U M368L3223DTM-CC4 объемом по 256 Мбайт, предоставленные нам для тестов торговой компанией «Никс», - также исторически одни из первых DDR400-модулей на рынке. Модули Samsung построены на 32-мегабайтных (32Mит x 8) чипах в классической упаковке, что позволяет расположить их по одну сторону модуля, а другую сторону «отдать» под крайне нужный для таких высокочастотных изделий «экран» - общую землю и уменьшить тем самым количество слоев PCB, слегка удешевив модуль в целом и снизив перекрестные помехи. Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули.

Компания Samsung Electronics (SEC) давно и заслуженно славится качеством своей памяти. И эти модули не стали исключением, продемонстрировав безупречно стабильную работу в паспортном режиме (с параметром CAS Latency, равным 3, на тактовой частоте 200 МГц). Однако «разгонный» потенциал этих модулей явно разочаровал, поскольку даже на частоте 333 МГц они не были способны работать при CAS Latency меньше 2,5, теряя драгоценные проценты производительности ПК. J

Представителем другого очень именитого производителя памяти являются модули Kingston ValueRAM KVR400X64C25/256. Эти 256-мегабайтные модули, любезно предоставленные нам для испытаний копанией «Ак-Цент Микросистемс» имеют штатное значение CAS Latency =2.5 такта (для режима DDR400), что выгодно отличает их от аналогов Kingmax и Samsung.

Плата модулей использует двухсторонний дизайн, где чипы располагаются «вперемешку» по обеим сторонам PCB. Такой дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули и «набирать» из тех же чипов модули объемом 512 Мбайт.

Чипы с маркировкой самой Kingston (на фото) емкостью по 32 Мбайт (32Мбит х 8) имеют время доступа 5 нс и обладают отличным запасом быстродействия.

Интересно, что подложки модулей изготовлены непосредственно на Тайване, а сами модули собраны в Штатах. Модули показали себя стабильными в работе и имели хороший потенциал по наращивания быстродействия - по крайней мере, заметно более высокий, чем предыдущие модули DDR400 от Kingmax и Samsung (см. таблицу далее). Возможно, лишь двухсторонний дизайн PCB не позволил им показать результаты наравне с лидераим нашего обзора.

Модули DDR PC3200 по 256 Мбайт почти безымянной компании «A-Data» на чипах известной всем Winbond , предоставленные нам компанией «Ф-Центр», являются примером удачной памяти DDR400 от малоизвестного производителя. По всей видимости, эти модули используют плату референс-дизайна от самой Winbond, где чипы располагаются «вперемешку» по обеим сторонам PCB, имеющей 6 слоев металлизации (включая внутренние слои экрана-земли и питания).

Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули и «набирать» из тех же чипов модули объемом 512 Мбайт. Чипы Winbond емкостью по 32 Мбайт (32Мбит х 8) имеют время доступа 5 нс и обладают отличным запасом быстродействия. Модули по паспорту предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2.5, что лучше, чем у двух предыдущих фигурантов.

Несколько позже в компании «Ф-Центр» появились модули DDR PC3200 «A-Data» по 256 Мбайт на чипах Winbond  на подложках улучшенного дизайна. Новые подложки имеют разводку для одностороннего расположения чипов (как модули Samsung выше и TwinMOS ниже), что дополнительно улучшает их высокочастотыне свойства и удешевляет плату. Поэтому мы были вправе ожидать от этох "улучшенных" модулей лучших характеристик, что и подтвердили эксперименты - данные модули оказались одними из самых высокоскоростных модулей DDR400 в этом обзоре.

Эти модули использут те же чипы памяти от Winbond, что и их предшественники, однако более свежие по дате выпуска. Возможно, это также скалазалось на улучшении их характеристик.

Еще одним крайне удачным представителем модулей DDR400 на чипах Winbond стал TwinMOS PC3200 256 МВ CL2.5 (P/N MDSWBF08108L294KZFW0/T).

Построенный на тех же 5-наносекундных чипах W942508BH-5, что и предыдущий фигурант, этот модуль, однако, использует совсем другую плату - с односторонним расположением чипов, как и в модулях Samsung.

Вероятно, более оптимальный дизайн PCB, чем у модулей от A-Data, позволил модулю от TwinMOS продемонстрировать самую быструю из всех модулей в этом обзоре работу - на частоте 444 МГц по таймингам 2-2-2-6 (при слегка повышенном напряжении питания). Напомню, что по паспорту они предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2.5. Дизайн PCB позволяет создавать на той же плате ECC-модули.

Последним и, вероятно, самым «вкусным» участником нашего обзора являются 256-мегабайтные модули канадской компания Corsair Memory CMX256A-3200C2 серии XMS3200v1.1 - eXtreme Memory Speed ("XMS"). Несмотря на то, что они предназначены для работы на тактовой частоте 200 МГц с параметром CAS Latency, равным 2 (!), побывавшие у нас на испытаниях модули использовали чипы Winbond W942508BH-6 с временем доступа 6 наносекунд вместо 5, необходимых для «честных» 200 МГц тактовой частоты шины памяти. Тем не менее, модули прекрасно справлялись со своей задачей и демонстрировали потрясающе быструю работу. Видимо, чипы W942508BH-6 походили специальный отбор (скорее всего уже в самой компании Corsair Memory) на предмет работы на повышенных частотах.

Плата этих модулей использует собственный дизайн PCB от Corsair, похожий на референс-дизайн от Winbond, но не тот же самый. Модули показали превосходную работы на повышенных частотах при пониженных таймингах и рекомендуются всем экстрим-оверклокерам и тестерам железа. Жаль, купить их в России пока не просто.

Модули поставляются с уже установленным алюминиевым радиатором (между ними и чипами памяти расположена двухсторонняя термолипучка). Попутно замечу, что у этой компании есть и более быстрые модули: CMX256-3500C2 серии XMS3500 с CAS=2.0 на частоте 434 МГц и такие же объемом 512 Мбайт.

После краткого знакомства с участниками тестирования переходим к испытаниям. Поскольку на данный момент единственным официально поддерживающим память DDR400 чипсетом является nVIDIA nForce2, и только этот чипсет из всех нынешних способен полноценно поддерживать DDR400 - до трех модулей одновременно суммарным объемом до 3 Гбайт на разных шинах адреса и данных - мы наши тесты модулей памяти будем проводить именно на плате ASUS A7N8X на этом чипсете (подробности о плате см. на www.ferra.ru/online/system/21270). К тому же, чипсет nForce2 обладает непревзойденным быстродействием при работе с процессорами AMD Athlon XP на системной шине 333 МГц (особенно в синхронном режиме с памятью, см. www.ferra.ru/online/system/20800). Попутно мы выясним, какие выгоды сулит использование меньших задержек при работе этого нового чипсета с памятью (влияние настроек BIOS Setup на производительность плат на чипсетах VIA мы уже неоднократно проверяли, см., например, подробный обзор на www.ferra.ru/online/system/15900).

Конфигурация нашей тестовой системы:

1. Системная плата ASUS A7N8X (ревизия 1.03, BIOS 1015 beta 3)
2. Процессор AMD Athlon XP 2800+ (системная шина 333 МГц)
3. 512 Мбайт системной памяти двумя модулями (двухканальное использование)
4. Видеоускоритель ASUS V8460 Ultra (драйверы Detonator v40.72 WHQL)
5. Винчестер IBM серии Deskstar 120GXP объемом 80 Гбайт
6. Microsoft Windows XP Professional Service Pack 1

Основные настройки частоты и таймингов работы памяти на плате A7N8X показаны на фото ниже. Наш выбор на эту плату при использовании модулей DDR400 пал еще и потому, что она пока единственная позволяет гибко изменять только частоту работы памяти БЕЗ изменения частот системной шины и AGP (PCI). Для этого в BIOS Setup платы есть специальный пункт настроек, в котором можно выставить процентное соотношение тактовых частот шин FSB и DDR. Так, при FSB 333 МГц можно установить частоту памяти, равную 333, 400, 408 и 444 МГц (и другие часты вне этого диапазона, см. фото), а при FSB 266 МГц можно также установить память на 356 МГц (2x178).

При этом в BIOS Setup этой платы можно менять следующие тайминги работы памяти:

Далее в нашей статье мы будем указывать тайминги работы памяти сокращенно четырьмя цифрами (например, 2.5-2-3-6), подразумевая, что они следуют в таком порядке:

1. CAS Latency Time (2.0, 2.5 или 3.0)
2. RAS Precharge Delay (Trp) (2 или 3)
3. RAS to CAS Delay (Trcd) (2 или 3)
4. Active Precharge Delay (Tras) (5, 6, 7 или 8)

Тактовая частота процессорной шины при наших испытаниях показана на скриншоте программы WCPUid.

Стресс-тест модулей памяти проводился при номинальном для этой платы напряжении питания памяти (2,6 вольт вместо стандартных для DDR266/333 двух с половиной вольт, впрочем, это находится в пределах допусков модулей по питанию). На радиаторе северного моста чипсета я установил вентилятор, поскольку в процессе испытаний он прилично разогревался, и стабильность работы модулей памяти на указанных предельный настройках при этом заметно падала. Под Windows и DOS запускались различные приложения (включая специально подобранное архивирование в WinRAR 3.00 c большим размером словаря и трехмерные задачи в тесте 3Dmark 2001 и др.) и специальные программы проверки памяти. Результаты успешной работы разных модулей на частотах от 333 до 444 МГц с разными таймингами показаны в таблице 1. Ячейки таблицы содержат минимальный тайминг, при котором модули в паре успешно прошли все наши стресс-тесты на указанной частоте. При более агрессивных, чем указано в таблице, таймингах работа модулей на этих частотах была нестабильна (наблюдались сбои) либо вообще невозможна. По одиночке все из побывавших у нас модулей показали точно такие пределы работоспособности, что и в паре на плате A7N8X (в силу высокого качества платы и двухканальности использования памяти).

Таблица 1. Быстродействие модулей памяти DDR400 разных производителей на разных частотах при минимально возможных таймингах работы.

*) Примечание: модули Kingston KVR400X64C25/256 работали как DDR444 только при напряжении питания 2,8 вольт, а как DDR416 при питании 2,8 вольт могли работать и с таймингом 2-2-2-6. 

Прежде всего, заметим, что наши результаты относятся только к тем конкретным экземплярам (парам) модулей, которые побывали на наших испытаниях, и ни в коем случае не претендуют на все изделия этих производителей с указанной выше маркировкой. Тем не менее, поскольку нынешние технологии и изделия микроэлектроники, как правило, вылизываются «под завязку», наши цифры помогут дать представление о средних возможностях большинства однотипных моделей. Делать на порядок большую выборку мы считаем принципиально бессмысленным, а тестировать 500-1000 модулей каждого производителя из разных партий - невозможным по вполне понятным причинам. Так что придется довольствоваться теми результатами, что мы имеем J.

И еще - показанные в таблице данные (модули расположены от самого медленного вверху к самому быстрому внизу) относятся именно к работе на плате A7N8X. При работе на платах на чипсетах VIA (KT400, KT333), SiS (645/648) и Intel (845PE при разгоне) пределы работоспособности этих же модулей были несколько ниже (лишь на чипсете Intel - почти такие же). Поэтому для использования DDR400 с платами на других чипсетах следуют делать некоторые поправки (как минимум, на ступень «загрублять» некоторые тайминги). В частности, для KT400 «штатным» для DDR400 считается тайминг 2.5-4-4-8, что, очевидно, сразу «погубит» всю скорость платы с такой памятью.

Комментируя результаты таблицы 1, можно отметить неудачу PC3200-модулей Samsung: лишь на частоте 266 МГц (то есть как DDR266!) они «осилили» тайминг 2-2-2-6, и уже на 324 МГц при таких таймингах были сбои. Модули DDR-400 от Kingmax тоже не блеснули запасом скорости: DDR333 лишь с CL=2.5 (до 356 МГц с 2.5-2-2-6), а DDR400 - только по 2.5-3-3-6. Зато отлично показали себя все модули на чипах производства Winbond: «небрендовая» A-Data разогналась до 444 МГц при 2-2-3-6 (на DDR400 по 2-2-2-6 были сбои), почти так же повели себя модули PC3200v1.1 от Corsair - правда, они все-таки осилили DDR400 по 2-2-2-6 (но лишь на этой конкретной плате). И самой лучшей оказалась память DDR400 от TwinMOS на этих же чипах: без проблем работа по 2-2-2-5 как DDR333, DDR400 и даже DDR416! Эта память работала даже на KT400 по таймингу 2-2-2-6 как DDR400, в отличие от всех остальных (см. www.ferra.ru/online/system/20560). Жаль, что пока у нас DDR-память от этого известного производителя крайне сложно найти в продаже. Брендовые модули Kingston ValueRAM DDR400 также показали себы очень достойно - на уровне добротных модулей на чипах Winbond - и могут быть рекомендованы для разностороннего использования. Вероятно, микросхемы на этих модулях Kingston являются отобранными и перемаркированными чипами, произведеными на мощностях Winbond. Видимо в силу недостатка платы A7N8X или ее BIOS ни один из данных модулей не смог запустить плату при частоте памяти DDR 500 МГц (даже с самыми «щадящими» настройками).

В заключение нашего обзора мы рассмотрим тесты производительности памяти DDR333 и DDR400 при различных настройках таймингов в BIOS Setup платы ASUS A7N8X. Конфигурация тестовой системы - та же. Для тестов производительности мы использовали только двухканальную конфигурацию памяти (процент падения производительности платы при использовании одноканальной памяти можно посмотреть на www.ferra.ru/online/system/20800).

Результаты для разных частот и таймингов работы памяти показаны на диаграммах. Сначала взглянем на результаты тестов скорости работы памяти непосредственно («желтые» диаграммы).

По тесту Sandra 2003 Memory Bandwidth быстрее всего на чипсете nForce2 работает синхронная с FSB 333 МГц память DDR333, причем влияние таймингов CAS Latency Time и Active Precharge Delay (Tras) на скорость потоковой работы памяти минимально (этого и следовало ожидать). Более того, неожиданно меньшая величина Tras даже слегка замедляет потоковую работу. Зато «тройки» для RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd) закономерно снижают потоковую скорость памяти, правда, всего на 0.7%. Интересно другое: несинхронная DDR400 даже при ТЕХ ЖЕ таймингах работы существенно проигрывает в потоковой работе синхронной DDR333! А при таймингах 2.5-3-3-6, типичных для нынешних модулей DDR400, ее работа становится и вовсе медленной - на 3,3% по сравнению с лидером. Память DDR444 берет вверх над DDR400 даже при чуть худшем тайминге Trcd, хотя и отстает в потоковой скорости от заметно более медленной по частоте, но синхронной DDR333.

Почти полностью аналогичная картина наблюдается в тесте пропускной способности памяти пакета Science Mark v2.0: отставание «типичной» DDR400 от хорошей DDR333 на nForce2 при потоковой работе (чтении) составляет около 3%, а «быстрая» DDR444 отстает даже от DDR333 со скромными таймингами.

Тесты скорости чтения и записи памяти по программе Cachemem 2.65MMX показывают, что скорость записи в память от настроек чипсета nForce2 и даже от тактовой частоты памяти практически не зависит (!) - не будем забывать, что в этом чипсете работает блок интеллектуального кэширования данных, DASP. Зато скорость чтения памяти зависит от настроек: вполне закономерно быстрее всех читает память синхронная DDR333 при настройках 2-2-2-5, за ней идут CL-2-2-6, причем интересно, что при CL=2 и CL=2.5 скорость чтения памяти не меняется! Опять мы наглядно чувствуем работу DASP, поскольку в более простых чипсетах параметр CAS Latency оказывает самое существенно влияние на скорость чтения памяти. Наконец, несинхронная память DDR400 и DDR444 невзирая на тот самый блок предсказания обращений DASP читает память существенно медленнее, чем меньшая по частоте, но синхронная DDR333, причем тут DDR444 с худшим значением Trcd (3 против 2) при прочих равных таймингах читает память хуже DDR400! То есть мы видим, что совсем не нужно порой гнаться за запредельной тактовой частотой, но гораздо важнее иногда использовать лучшие (меньшие) тайминги работы памяти и, особенно, синхронный ее режим. «Типовая» DDR400 отстала по чтению от хорошей DDR333 более чем на 15%!

Окончательно поставить штамп «профнепригодности» DDR400 для современных систем c FSB 333 МГц (и 266 МГц тоже) поможет тест латентности памяти. Здесь преимущество синхронной DDR333 над DDR400 составляет почти полтора раза, параметр CAS Latency почти не влияет на латентность памяти (по крайней мере, в синхронном режиме работы), зато влияют RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd) по тесту Science Mark (но не по Cachemem), однако в любом случае DDR333 быстрее даже, чем DDR444 с ЛУЧШИМ таймингом работы!!! «Типовая» DDR400 с таймингом 2.5-3-3-6 отстала безнадежно.

Переходим к тестам в реальных приложениях. Для тестов испытания влияния таймингов DDR400 и DDR333 мы отобрали из нашего пакета лишь несколько самых чувствительных и характерных тестов. Синтетический CPUmark 99 по-прежнему «чуток» ко всем изменениям в системе и с хорошей точностью повторяет результаты «потоковых» тестов полосы пропускания памяти: DDR333 с разными параметрами CAS Latency Time и Active Precharge Delay (Tras) практически одинакова в работе и немного отстает при увеличении значений RAS Precharge Delay (Trp) и RAS to CAS Delay (Trcd). Зато DDR400 и DDR444 даже при таких «продвинутых» и редких на практике настройках как 2-2-2-6 уступает синхронной работе nForce2 заметно, а типовая DDR400 медленнее DDR333 на 4%.

Еще более чувствительны к скорости памяти тесты кодирования видео в MPEG4 и архивирования WinRAR 3.00. И если «потоковое» кодирование здесь показывает не столь большую разницу в скорости при различных настройках - типовая DDR400 отстает от хорошей DDR333 примерно на 3%, то в тесте архивирования с большим размером словаря (4 Мбайт) разница между этими конфигурациями существенна и доходит до 13%, причем DDR400 и даже DDR444 всегда отстает от DDR333 даже при лучших таймигнах работы!

Снова, как и в тестах латентности, мы видим, что влияние CAS Latency и Tras для этого чипсета ничтожно (при условии синхронной работы памяти и FSB), а Trp и Trcd могут заметно замедлить работу даже в реальных приложениях (до 3-6% по WinRAR).

В тесте научных расчетов из пакета Science Mark 2.0 влияние памяти и таймингов не подтвердилось, и все системы работали с примерно одинаковой скоростью.

При переходе к трехмерным играм мы снова видим заметное влияние настроек и частоты памяти. В комплексном пакете 3Dmark 2001 SE синхронная память верховодит, не обращая внимания на варьирование CAS Latency и Tras и немного сдавая при увеличении Trp и Trcd. А несинхронная DDR444 и DDR400 приводит к отставанию ПК в этом тесте на 3-4%, причем прирост частоты DDR444 по сравнению с DDR400 съедается увеличением всего одной настройки Trcd с 2 до 3.

Не оставляет шансов DDR400 выжить здесь и OpenGL-игра Return to Castle Wolfenstein: точно та же каотрина, что и в пакете 3Dmark 2001 SE, только разница между системами увеличивается - до 2% при увеличении Trp и Trcd с 2 до 3 для DDR333 и DDR400 и до 4-6% отставания несинхронной DDR400 и DDR444 от синхронной DDR333. CAS Latency и Tras опять практически не влияют на скорость системы.

Наконец, свежая DirectX-игра Unreal Tournament 2003 лишний раз укрепляет нашу уверенность в сделанных выводах: та же самая картина, что и в предыдущих игровых (и неигровых) тестах, практическая независимость от настроек CAS Latency и Tras (в пределах указанных, при CL=3 и Tras=8 мы тесты не проводили), спад на 2-3% для «троек» в Trp и Trcd, проигрыш 5-6% для DDR400/444 при быстрых (уникальных) таймингах, и до 8,5% проигрыша «типовой» DDR400 по сравнению с той же памятью, работающей как DDR333 с хорошими настройками в BIOS Setup. Выигрыша от использования DDR444 вместо DDR400 практически никакого. Повторюсь, что все эти закономерности справедливы лишь для чипсета nVIDIA nForce2 при использовании FSB 333 МГц. Для чипсетов VIA ситуация может немного поменяться, хотя наши предыдущие тесты показали, что и в том случае DDR400 не несет практически никакого выигрыша. Что ж, остается ждать новых чипсетов, оптимизированных для использования именно DDR400, чтобы понять, сможет ли этот тип памяти завоевать себе право на жизнь в наших ПК.