Темы: Intel IDF 2011 Micron DRAM Hybrid Memory Cube

IDF 2011: технология Hybrid Memory Cube обещает заметно повысить эффективность DRAM

16.09.2011, 11:42 Новостная служба Ferra, news@ferra.ru
Версия для печати

Одной из новинок, представленных в рамках IDF 2011, стала совместная разработка Intel и Micron Technology под названием Hybrid Memory Cube (HMC). Данная технология имеет непосредственное отношение к оперативной "многослойной" памяти Stacked DRAM и позволяет заметно повысить ее эффективность, что особенно важно в свете постоянно растущей производительности центральных процессоров.

HMC

Не секрет, что пропускная способность памяти всегда была слабым местом компьютерных систем, препятствующим росту их быстродействия. Для решения этой проблемы испробованы различные методики и подходы, в частности, сейчас ведутся разговоры о внедрении в IT индустрию памяти типа DDR4, о разработке которой мы уже писали.

HMC

Однако даже в этом случае частота оперативной памяти (а значит, и ее быстродействие) не может расти бесконечно. При этом технология Hybrid Memory Cube, как полагают ее авторы, позволяет за счет ухищрений на уровне логики значительно увеличить КПД памяти. К примеру, созданный специалистами Intel и Micron прототип способен обеспечить скорость обмена информацией на уровне до 1 Тбит/с, а энергоэффективность такой памяти в семь раз выше по сравнению с лучшими нынешними образцами DDR3.

Источник: Intel

← Crtl Раньше
Комментарии
Вы должны авторизоваться на форуме Ferra.ru для комментирования.
Если же вы новый посетитель, пройдите процедуру регистрации.
Спасибо.
Подписаться на рассылки новостей »
Загружается, подождите...