Темы: Samsung SSD удачная покупка твердотельный накопитель Samsung 850 EVO

Монополия на скорость. Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 EVO разных форм-факторов

Сергей Плотников, info@ferra.ru
Монополия на скорость. Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 EVO разных форм-факторов
Хорошо иметь свое производство. А иметь хорошее производство — еще лучше. В Samsung приложили немало усилий, чтобы стать лидером по выпуску всевозможной памяти. На сегодняшний день приличное количество передовых разработок принадлежит именно южнокорейскому производителю. Поэтому изучать новинки Samsung вдвойне интересно. Они как лакмусовая бумажка всего того, что происходит в индустрии. В этот раз знакомимся с накопителями серии 850 EVO — доступными, но быстрыми SSD.

Оглавление

Не так давно на нашем сайте вышел обзор накопителя 950 PRO — это самое быстрое запоминающее устройство на потребительском рынке в 2016 году. Второй в табели о рангах идет линейка 850 PRO с интерфейсом SATA 3.0. И снова южнокорейской компании принадлежит самый быстрый накопитель в своем классе. Серия 850 EVO, — а мы познакомимся сразу с двумя моделями различных форм-факторов — предлагает высокое быстродействие вкупе с небольшой ценой. Такого привлекательного во всех отношениях симбиоза удалось достичь путем перевода TLC-памяти в трехмерное пространство. Технология получила название 3D V-NAND. А еще серьезно увеличилась надежность накопителей.

Samsung 850 EVO
Samsung 850 EVO

Технические характеристики и особенности конструкции

«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.

Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.

Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.

В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».

Samsung 850 EVO

Интерфейс

SATA 3.0

M.2

Маркировка модели

MZ-75E120BW

MZ-75E250BW

MZ-75E500BW

MZ-75E1T0BW

MZ-N5E120BW

MZ-N5E250BW

MZ-N5E500BW

Объем

120 Гбайт

250 Гбайт

500 Гбайт

1 Тбайт

120 Гбайт

250 Гбайт

500 Гбайт

Память

Samsung, 40 нм, TLC V-NAND, 128 Гбит, 32 слоя

Контроллер

Samsung MGX

Samsung MEX

Samsung MGX

Буферная память

256 Мбайт LPDDR2-1066

512 Мбайт LPDDR2-1066

1024 Мбайт LPDDR2-1066

512 Мбайт LPDDR3

Максимальная скорость последовательного чтения/записи

540/520 Мбайт/с

540/500 Мбайт/с

Максимальная скорость произвольных чтения/записи

94 000/88 000 IOPS

97 000/88 000 IOPS

98 000/90 000 IOPS

97 000/89 000 IOPS

Ресурс записи

75 Тбайт

150 Тбайт

75 Тбайт

150 Тбайт

Гарантия

5 лет

Цена

4600 руб.

8100 руб.

12 400 руб.

24 500 руб.

4800 руб.

7000 руб.

12 500 руб.

Купить

 Вызов вертелки:Samsung MZ-75E120BW3inline

Вызов вертелки:Samsung MZ-75E250BW3inline 

 Вызов вертелки:Samsung MZ-75E500BW3inline

 Вызов вертелки:Samsung MZ-75E1T0BW3inline

 Вызов вертелки:Samsung MZ-N5E120BW3inline

 Вызов вертелки:Samsung MZ-N5E250BW3inline

Вызов вертелки:Samsung MZ-N5E500BW3inline 

Есть в линейке 850 EVO и серия под разъем mSATA. Старенький, бесперспективный стандарт, который используется в крошечных компьютерах (например, Intel NUC), ноутбуках и некоторых материнских платах. В современных решениях я его давно не встречал. И все же наличие в продаже этой серии — отличный способ омолодить свою машину.

Характерная черта линейки 850 EVO: отсутствие у накопителей какой-либо сопутствующей комплектации. В картонной коробке, помимо устройства, покоится только краткое руководство пользователя.

Упаковка твердотельных накопителей Samsung 850 EVO
Упаковка твердотельных накопителей Samsung 850 EVO

Толщина корпуса всех SATA-накопителей серии 850 EVO составляет 7 мм. Следовательно, устройство подойдет для большинства ноутбуков. Внутри — двухъядерный контроллер MGX и чипы памяти. Основные — четыре 128-гигабайтные микросхемы TLC V-NAND. Каждый такой чип содержит восемь 16-гигабайтных кристаллов, выращенных по 40-нанометровому техпроцессу. Дополнительная микросхема — буферная DDR. Модель 850 EVO MZ-75E500 объемом 500 Гбайт оснащена 512 Мбайт LPDDR2-1066.

Кстати, нетипичный объем — 120 Гбайт, 250 Гбайт, 500 Гбайт — характеризуется, во-первых, поддержкой технологии TurboWrite. А именно часть ячеек TLC (~3,5%) играет роль SLC-буфера. Во-вторых, незадействованная память предназначена для сбора мусора и выравнивания износа. Все 850 EVO поддерживают функцию TRIM. Самостоятельная сборка мусора не производится. В 2016 году такой алгоритм работы нельзя считать недостатком.

Samsung 850 EVO MZ-75E500
Samsung 850 EVO MZ-75E500

Накопители с интерфейсами M.2 и mSATA появились позже SATA-серии. Они имеют иную техническую компоновку. У модели MZ-N5E500 всего две микросхемы TLC V-NAND. Каждая объемом 256 Гбайт. К тому же вместо LPDDR2 в качестве буфера используется LPDDR3. На обратной стороне печатной платы есть посадочные места под распайку еще двух микросхем TLC V-NAND. Возможно, в обозримом будущем появится терабайтная модель.

Все накопители серии 850 EVO поддерживают шифрование AES-256, а также стандарты TCG Opal 2.0 и IEEE-1667.

Samsung 850 EVO MZ-N5E500
Samsung 850 EVO MZ-N5E500

Тестирование

Тестовый стенд:

  • Процессор: Intel Core i7-4790K
  • Процессорный кулер: ENERMAX LIQTECH 240
  • Материнская плата: MSI Z97 MPOWER
  • Оперативная память: DDR3-2133, 2x 8 Гбайт
  • Накопитель: Samsung 850 EVO
  • Блок питания: Corsair HX850i, 850 Вт
  • Периферия: Samsung U28D590D, ROCCAT ARVO, ROCCAT SAVU
  • Операционная система: Windows 8.1 х64

Перейдем к тестированию. Так как все познается в сравнении, то определить уровень производительности серии 850 EVO нам поможет старшая линейка — 850 PRO, а также SSD Blast от Patriot, базирующийся на довольно распространенном контроллере Phison PS3110-S10 и планарной памяти TLC.

Согласно официальным техническим характеристикам, M.2-модель 850 EVO 500 Гбайт чуть уступает SATA-накопителю в скорости последовательной записи. На практике мы видим, что оба SSD демонстрируют идентичную производительность. По крайней мере, в бенчмарке ATTO. Быстродействие накопителей соответствует заявленным производителем показателям.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейное чтение)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейное чтение)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейная запись)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в ATTO (линейная запись)

Серия 850 EVO закономерно уступает более дорогой линейке 850 PRO, что логично. Особенно заметна разница в операции чтения. Здесь она достигает 7%.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (линейные чтение/запись)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (линейные чтение/запись)

Если в последовательных операциях чтения/записи Patriot Blast оказался быстрее накопителей Samsung (даже 850 PRO), то в заведомо сложных случайных операциях 4-килобайтными блоками Phison PS3110-S10 откровенно сдулся. Особенно в IOMeter. Что же до линейки 850 EVO, то в CrystalDiskMark она практически не уступает более дорогой 850 PRO.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (случайные чтение/запись)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (случайные чтение/запись)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в CrystalDiskMark (случайные чтение/запись)

Смешанная нагрузка предъявляет серьезные требования к контроллеру любого SSD. Здесь мы видим небольшое преимущество процессора MEX над MGX. Phison PS3110-S10 вновь оказался позади.

Практически во всех тестах разницы между SATA- и M.2-накопителями нет.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (смешанная нагрузка)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (смешанная нагрузка)

Перейдем от синтетики к имитации реальных задач. В PCMark 7 накопители 850 EVO уступили 850 PRO приблизительно на 1000 баллов или 14%. Patriot Blast отстал от остальных SSD на 38% и 60% соответственно.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (общий счет)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (общий счет)

В целом между моделями MZ-75E500 и MZ-N5E500 опять равенство, хотя PCMark 7 отдает небольшое преимущество MZ-75E500.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (паттерны)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в PCMark 7 (паттерны)

В паттернах IOMeter, имитирующих работу рабочих станций и серверов, накопители 850 EVO оказались быстрее 850 PRO. «Прошка» серьезно отстала. Не новость, ведь схожие результаты в свое время продемонстрировала и 128-гигабайтная модель.

Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (паттерны)
Результаты тестирования Samsung 850 EVO MZ-75E500 и MZ-N5E500 в IOMeter (паттерны)

Технология TurboWrite в 500-гигабайтных накопителях никак не влияет на производительность рассмотренных сегодня устройств. Наличие псевдокэша SLC пригодится младшим моделям. Оба SSD ведут себя вполне стабильно на протяжении всего времени, пока им не требуется TRIM. Серьезных перепадов в линейных операциях чтения/записи нет, накопители не перегреваются.

Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-75E500 Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-75E500
Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-N5E500 Линейные чтение/запись Samsung 850 EVO MZ-N5E500

Конкуренты и аналоги

Про конкурентов серии 850 EVO я уже сказал. Это бесчисленное полчище накопителей на контроллере Phison PS3110-S10 и планарной памяти TLC. Как показало тестирование, у них нет никаких шансов, ибо производительность заметно ниже, а цены сопоставимы с теми, что предлагает Samsung. Вот и главный плюс закрытой бизнес-модели (собственного производства): ты диктуешь условия конкурентам, а не идешь у них на поводу.

Конкуренты Samsung 850 EVO
Конкуренты Samsung 850 EVO

В заключение

Удачная покупка
В 2015 году Samsung принадлежало больше 40% рынка твердотельных накопителей. Данный статистический факт наглядно доказывает эффективность закрытой модели ведения бизнеса южнокорейской компании в этом сегменте рынка. А именно для достижения тотального превосходства над конкурентами необходимо самому производить большую часть элементов твердотельного накопителя. Недавно корейцы выпустили линейки 650 и 750 EVO, а это значит, что рыночная доля Samsung в потребительском секторе в 2016 году только увеличится. Монополия? Возможно. Однако придраться к рассмотренным сегодня 500-гигабайтным EVO-моделям практически нереально. В плане производительности они несильно уступают более дорогой линейке 850 PRO. Умеют корейцы делать SSD. Убеждаюсь в этом который раз. Конкуренты за ту же цену предлагают решения с меньшей производительностью и меньшей гарантией.

Накопители форматов SATA и M.2 продемонстрировали одинаковые результаты. Выбирайте устройство в зависимости от того, какой интерфейс предпочтительнее. Модели MZ-75E500 и MZ-N5E500 получают награду «Удачная покупка».

Samsung 850 EVO

Плюсы:

Минусы:

  • Высокая производительность;
  • 5-летняя гарантия;
  • Три вида интерфейсов;
  • Низкая стоимость.
  • Не обнаружено.
Поделиться:
Увидел опечатку? Выдели текст и нажми Ctrl+Enter
Мобильное приложение