IBM готовит конкурента NAND флеш

Исследователи IBM официально сообщили о важном достижении, которое может серьезно повлиять на облик будущих систем хранения информации. Речь в данном случае идет о разработке нового вида памяти на основе технологии фазового перехода (PCM), в котором используются чипы с многобитовой (или многоуровневой) архитектурой.

До настоящего времени память на основе фазового перехода могла сохранять лишь один бит информации из расчета на ячейку, что, естественно, значительно снижает ее емкость и увеличивает стоимость производства. В то же время, работа ученых IBM позволяет в большей степени раскрыть потенциал, заложенный в PCM памяти, и в перспективе создавать недорогие чипы с высокой плотностью.

Таким образом, память на основе фазового перехода может, со временем, вырасти в серьезного конкурента традиционной NAND памяти, превосходящего ее как по скорости чтении и записи данных, так и по надежности и долговечности. Достаточно сказать, что подобная PCM память способна выдержать не менее 10 миллионов циклов записи, тогда как, к примеру, у 25 нм NAND с многоуровневыми ячейками этот показатель составляет всего около 3000 циклов.

Добавим, что при создании  опытного образца PCM чипа исследователи IBM применяли CMOS технологию и 90 нм производственные нормы. При этом наихудший показатель задержек при записи у него составляет около 10 микросекунд, что на два порядка лучше аналогичного значения самой совершенной на сегодня NAND. Разумеется, исследовательские работы по PCM будут продолжаться, так что в ближайшие года нам придется рассчитывать на традиционную флеш-память.

Источник новости: IBM