Производство модулей 40 нм DDR3 от Samsung начнется к концу года
Совсем недавно компания Samsung объявила об успешной сертификации первого гигабитного 40 нм чипа DDR2, а также модуля памяти DDR2 800 SO-DIMM на 1 Гб в программе Intel Platform Validation. Это позволяет использовать данные разработки с мобильными чипсетами Intel GM45. И вот теперь южнокорейский электронный гигант заявил, что намерен к концу года начать массовое производство чипов следующего поколения памяти DDR3, созданной на основе той же 40-нанометровой технологии.
Модули памяти Samsung
Пока информации о будущих продуктах на основе 40-нм DDR3 немного. Известно лишь, что это будет 2-гигабитные модули, а их массовое производство должно начаться в конце нынешнего года. Также известно, что новый 40-нанометровый техпроцесс обещает до 30 процентов сократить энергопотери, а его внедрение представляется важным шагом для перехода на следующее поколение памяти DDR4.
Источник новости: Fudzilla