Samsung протестировала первый 40 нм чип DRAM

Компания Samsung сообщила, что провела проверку первой микросхемы DRAM, изготовленной по 40-нанометровой технологии. Ожидается, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 года компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных модулей DDR3.

Применение 40-нанометровой технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с модулями памяти, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%. Более точное изготовление узлов микросхем DRAM к тому же позволит увеличить производительность примерно на 60% по сравнению с 50 нм устройствами.

Кроме того, компания Samsung предполагает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.

Источник новости: Samsung