Будущая архитектура Nvidia Feynman получит транзисторы со всесторонним затвором

По словам Хуанга, для полупроводниковых узлов это эволюция после архитектуры FinFET. Хуанг ожидает прирост производительности примерно на 20% от перехода на новую архитектуру GAA — Feynman.

Эта технология является ключевой для передовых технологических узлов, таких как 3-нм, и позволяет решить проблему утечки электричества путём вертикального расположения каналов тока и окружения каналов затворами со всех сторон. Благодаря новой архитектуре вендор попытается добиться снижения сопротивления и стабилизации энергопотребления. Как отмечает Techspot, в транзисторах, построенных по технологии GAA, затвор окружает проводящий канал со всех сторон, и это должно минимизировать утечки тока, а также повысить управляемость.

Разумеется, это отразится и на цене продуктов, так как технология дорогостоящая.