Hitachi будет делать новую память SRAM с технологией ZBL

Американское отделение Hitachi Semiconductor анонсировало новую память SRAM с Zero Bus Latency (ZBL).

ZBL - это технология, с помощью которой можно ликвидировать задержки, возникающие в SRAM при переходе из режима чтения в режим записи. Таким образом, ZBT позволяет смешивать циклы чтения и записи в любой комбинации, причем на каждую операцию требуется только один цикл и это решает проблемы полного использования полосы пропускания. Такие решения начали разрабатываться в 1997 г. Компания IDT в содружестве с Micron Technology и Motorola Semiconductor Product представила технологию ZBT (Zero-Bus Turnaround - нуль-переключение шины), а компания Cypress Semiconductor - свой вариант NoBL(No Bus Latency - шина без задержек) . В 1999 году на рынке появилась более совершенная SmartZBT, которая позволяла избежать т.н. соперничества на шине, когда два или более устройства пытаются передать по шине противоположные логические значения (“0” и “1”). Память ZBT SRAM, хотя и не стала стандартом как DRR и Rambus, получила широкое применение. Этот стандарт поддерживают такие компании, как IDT, Micron, Motorola и IBM.

Новая память получит широкое применение прежде всего в сетевом и телекоммуникационном оборудовании, например, в коммутаторах и маршрутизаторах. В таких задачах ее эффективность выше обычной SRAM почти в два раза. Кроме этого, в Hitachi рассчитывают на ее использование в промышленных ПК и контроллерах.

Первоначально Hitachi будет выпускать чипы на 18 Мбит (серии HM66WP18512/3 и HM66WP36256/7) и на 9 Мбит (HM66WP18100/1 и HM66WP36512/3). Микросхемы будут изготовляться по 0,18 мкм СMOS-процессу . Частота работы 250 МГц, максимальный потребляемый ток - 250 мА для 9 Мбит и 300 мА для 18 Мбит, рабочее напряжение - стандартное 2,5 В или 3,3 В.

Поставки образцов 9 Мбит начнутся в апреле 2002 по цене от 2250 йен (17$) , а 18 Мбит - в июне по цене от 4800 йен (36$).

На сайте Hitachi можно узнать подробные технические данные о новой памяти.

Источник новости: Hitachi