IBM объявила о создании самого быстрого транзистора на основе кремния

Компания IBM объявила о создании транзистора (электронного ключа), способного работать со скоростью в 350 миллиардов циклов в секунду, что в три раза превышает возможности современных транзисторов.

По заявлению представителей IBM, новый транзистор позволит создавать сверхбыстрые микропроцессоры и повысить скорость передачи данных в беспроводных сетях. Микрочипы, применяемые в сотовых телефонах или в бытовой электронике, состоят из десятков тысяч транзисторов. Специалисты IBM утверждают, что новый транзистор разрабатывался именно для использования в телекоммуникационных устройствах.

Новый транзистор является кремниево-германиевым (SiGe): он состоит из кремния, самого распространенного полупроводника, и германия, сходного по физическим свойствам с кремнием. Кремниево-германиевые транзисторы могут использоваться в сочетании с кремниевыми транзисторами для создания высокочастотных микросхем, используемых в сотовых телефонах, оптических коммутаторах и других телекоммуникационных устройствах.

Специалисты IBM считают, что новый транзистор позволит в ближайшие два года создать недорогой специализированный микропроцессор для телекоммуникационных приборов, работающий с частотой 150 ГГц, энергопотребление которого будет оставаться на низком уровне. В настоящее время самый мощный телекоммуникационный микрочип способен работать с частотой около 50 ГГц.

Подробнее о новом транзисторе компания IBM планирует рассказать на международном форуме разработчиков электронных устройств, который пройдет в Сан-Франциско с 9 по 11 декабря.

Источник новости: Reuters