Mitsubishi представила 0,15-микронные модули памяти SDR и DDR

Группа электронных устройств компании Mitsubishi Electric объявила о начале поставок 256-мегабитных модулей памяти SDRAM и DDR RAM, произведенных по технологическому процессу 0,15 микрон. Компания ориентирует устройства на использование в серверах, рабочих станциях, сетевых и коммуникационных устройствах, а также в некоторых моделях ноутбуков и персональных компьютеров. Будучи произведенными по 0,15-микронному техпроцессу, модули обладают малым форм-фактором sTSOP. Таким образом, они занимают почти вполовину меньше места на платах устройств, в которых используются. Спектр скоростей новых продуктов Mitsubishi достаточно широк: DDR266, DDR200, PC166 и PC 133.

При использовании 64-битной шины данных 256-мегабитные модули DDR SDRAM от Mitsubishi способны достичь пиковой пропускной способности в 2,1 Гбайт в секунду.

Источник новости: Mitsubishi