NVE получает новый патент на MRAM

NVE Corp. получила америкнский патент 6,275,411 "Spin Dependent Tunneling Memory". Этот патент расширил портфолио компании в области производства магниторезистивной RAM (MRAM) и дает компании эксклюзивные права на интеллектуальную собственность до 2016 года.

Новый патент охватывает как использование транзистора для выбора следующей ячейки памяти, из которой будут читаться данные, так и ограничения на структуру ячейки, что позволяет достигать высокой скорости обращения к памяти. Эти особенности используются во многих опубликованных производственных программах рядом организаций, разрабатывающих MTJ MRAM (MRAM с магниторезистивным туннельным связыванием).

NVE лицензирует не столько массовое производство MRAM, сколько свою интеллектуальную собственность. В настоящее время по лицензии NVE работают Motorola Inc., Honeywell International, и USTC.

Источник новости: Electronic Engineer Times