В компании Samsung Electronics завершили разработку модулей памяти QDR SDRAM

Представители компании Samsung Electronics заявили об окончании разработки модулей памяти QDR (Quad Data Rate) SDRAM (на фото), скорость работы которых в 4 раза выше скорости работы существующих на сегодняшний день SRAM-модулей.

Частота работы представленного 16-мегабитного модуля составляет 200 МГц. Начало массового производства запланировано на конец текущего года, а уже в 2002 году, по мнению аналитиков компании, продукт "захватит" 30% мирового рынка модулей памяти и, возможно, станет международным стандартом для изготовления подобных устройств.

Модуль памяти выполнен в FBGA-корпусе (13 х 15 мм), то есть в половину меньше обычных модулей синхронной SRAM, что повышает конкурентоспособность нового продукта.

На фото: модуль QDR SDRAM от Samsung

Источник новости: Samsung Electronics