Фирма Renesas Technology Corp заявила о разработке первой в своем роде памяти SRAM, теоретически защищенной от любых программных ошибок. 16 МБайт новинку окрестили "superSRAM" т.к. новые ячейки памяти представляют собой комбинацию технологий SRAM и DRAM. Величина, характеризующая предположительное количество ошибок при работе с такой памятью, уменьшилась в 10 000 раз по сравнению с предыдущей низковольтной 16Мбитной моделью, выполненной по 0,13-микронному процессу.
Ячейки памяти являются комбинацией тонкопленочных транзисторов SRAM и конденсаторов DRAM, что позволило добиться самых миниатюрных на сегодня ячеек для 0,15-микронного процесса. Площадь ячейки 0,98 мк2, что почти в два раза меньше текущих аналогичных разработок Renesas.
Источник новости: 3DNews