Корпорация Matsushista Electric Industries Corporation подняла планку по миниатюризации MOS-сенсоров изображения на новый уровень - произведен датчик, площадь которого составляет всего 2 кв.мкм.
От MOS-сенсоров, находящихся на данный момент в употреблении, разработанный компанией Matsushista отличается:
• разрешением - 2 миллиона пикселей, против 1 миллиона у текущих моделей
• уменьшение размера пиксела без снижения светочувствительности
• количеством усилителей на 4 пиксела - 1 против 4
• меньшим количеством транзисторов на 4 пиксела - 6 транзисторов, тогда как у конкурентов - 16, что значительно уменьшает размеры конечного устройства.
Впервые использовав технологию 0,15 мкм производства (текущая - 0,25 мкм технология), разработчики смогли уменьшить "схемную" область чипа на 40%, что позволило увеличить фотодиодную область, и как следствие, повысить светочувствительность сенсора. Так как один усилитель обрабатывает информацию, поступающую от 4 фотопикселей, также удалось повысить качество получаемого изображения и уменьшить размеры сенсора.
Новый чип также обладает и сниженным в четыре раза потреблением энергии, что должно сказаться при использовании его в портативных устройствах. Однако корпорация пока не планирует продажи нового сенсора - скорее всего, из-за высокой стоимости производства и "сырости" технологии.
Источник новости: Matsushita Electric Industrial Co.