Elpida Memory создает 4 Гбит память LPDDR3 со скоростью 1600 Мбит/с

Японская компания Elpida Memory, являющаяся одним из крупнейших мировых производителей продуктов на основе DRAM (Dynamic Random Access Memory), официально уведомила о разработке энергоэффективной мобильной памяти  DDR3 Mobile RAM (LPDDR3) с емкостью 4 Гбит, созданной на основе современного 30 нм техпроцесса.

Сообщается, что новый чип способен достигать скорости передачи данных 1600 Мбит/с при уровне напряжения питания 1,2 вольта, что является очень хорошим результатом и вдвое превышает показатели DDR2 Mobile RAM (LPDDR2), которая сегодня в основном представлена в мобильных устройствах. В то же время память LPDDR3 должна найти применение в следующем поколении портативной электроники.

Отмечается, что при скорости передачи данных 1600 Мбит/с из расчета на один вывод единственная микросхема LPDDR3 обеспечивает пропускную способность в 6,4 ГБ/с, а у конфигурации из двух таких чипов, рассчитанной на применение в высококлассных мобильных устройствах, аналогичный показатель равняется 12,8 ГБ/с.При этом энергопотребление LPDDR3 по сравнению с LPDDR2 примерно на 25 процентов ниже.

Все это вместе взятое должно обеспечить смартфонам и планшетным компьютерам с памятью LPDDR3 увеличение времени автономной работы вкупе с улучшенной производительностью, а сам чип выполнен в корпусе FBGA. Добавим, что поставки образцов новой памяти от Elpida Memory начнутся к концу текущего года, а массовое производство должно стартовать  в конце 2012 года в зависимости от спроса на рынке. 

Источник новости: Elpida