Опубликовано 16 сентября 2011, 11:42

IDF 2011: технология Hybrid Memory Cube обещает заметно повысить эффективность DRAM

Одной из новинок, представленных в рамках IDF 2011, стала совместная разработка Intel и Micron Technology под названием Hybrid Memory Cube (HMC). Данная технология имеет непосредственное отношение к оперативной "многослойной" памяти Stacked DRAM и позволяет заметно повысить ее эффективность, что особенно важно в свете постоянно растущей производительности центральных процессоров.

HMC

HMC

Не секрет, что пропускная способность памяти всегда была слабым местом компьютерных систем, препятствующим росту их быстродействия. Для решения этой проблемы испробованы различные методики и подходы, в частности, сейчас ведутся разговоры о внедрении в IT индустрию памяти типа DDR4, о разработке которой мы уже писали.

HMC

HMC

Однако даже в этом случае частота оперативной памяти (а значит, и ее быстродействие) не может расти бесконечно. При этом технология Hybrid Memory Cube, как полагают ее авторы, позволяет за счет ухищрений на уровне логики значительно увеличить КПД памяти. К примеру, созданный специалистами Intel и Micron прототип способен обеспечить скорость обмена информацией на уровне до 1 Тбит/с, а энергоэффективность такой памяти в семь раз выше по сравнению с лучшими нынешними образцами DDR3.

Источник новости: Intel