Опубликовано 19 сентября 2012, 11:43

Samsung начинает производство первой в мире 2-ГБ памяти LPDDR3 по нормам 30-нм класса

Корпорация Samsung Electronics официально объявила о начале массового производства первой в истории индустрии памяти LPDDR3 в модулях емкостью 2 ГБ с использованием технологических норм 30-нм класса. Данная память, отличающаяся достаточно низким энергопотреблением и высоким для подобных решений быстродействием, предназначена для мобильных устройств следующего поколения, в том числе смартфонов и планшетов.

Память Samsung

Память Samsung

Память Samsung

При этом новая память LPDDR3 впервые достигает емкости 2 ГБ в одной компактной компоновке, а в корпусе модуля объединено четыре чипа LPDDR3. Сама данная разработка специалистов Samsung ориентирована на применение в портативных гаджетах с быстрыми процессорами, высоким разрешением дисплеев и поддержкой 3D-графики.

Таким образом, использование 2-ГБ памяти LPDDR3 от Samsung позволяет еще больше увеличить быстродействие высококлассных смартфонов и планшетных компьютеров, а обеспечен этот прирост будет высокой скоростью передачи данных (до 1600 Мбит/с из расчета на один вывод, что где-то на 50 процентов превосходит максимальный показатель LPDDR2 DRAM). Суммарная пропускная способность памяти при этом равна 12,8 ГБ/с.

Источник новости: Samsung