Компьютеры
12 сентября 2006, 18:26

Флэш-память переходит на 40 нанометров

Компания Samsung Electronics снова доказывает своё лидерство в области разработки электронных микрочипов – на сей раз южнокорейских промышленный гигант сообщает о производстве первых чипов NAND флэш-памяти ёмкостью 32 Гбит. Более того, производство указанных изделий осуществлялось по передовому 40-нм техпроцессу.

Особенностью чипов также является использование уникальной архитектуры Charge Trap Flash (CTF), которая позволяет не только обеспечить эффективное производство, но и высокую производительность устройств. Отличие CTF-чипов заключается в использовании бóльших (на 20%) по размеру управляющих затворов, а запись и временное хранение информации осуществляется в слое нитрида кремния (SiN). Впервые для индустрии производства NAND-устройств разработчики применили при изготовлении новых чипов композитную структуру, состоящую из металла – в данном случае тантала, и так называемого high-k-диэлектрика – оксида алюминия. Подобная структура получила обозначение TANOS.

Оба нововведения, архитектура CTF и структура TANOS, являются серьёзной заявкой на будущее лидерство в области создания высокоёмких чипов флэш-памяти – разработчики утверждают, что представленные технологии будут использоваться при создании 30-нм и даже 20-нм чипов.

Чипы NAND флэш-памяти ёмкость 32 Гбит будут использоваться для изготовления сменных карт памяти, причем объём последних будет достигать аж 64 Гбайт. Это позволит сменным носителям составить конкуренцию жёстким дискам, особенно мобильными винчестерам – позволяя хранить огромные объёмы информации, флэш-память заметно выигрывает в скорости обмена данными и потребляемой мощности.

Источник новости: DailyTech