Группа учёных из Иллинойского Университета изготовила транзистор, способный функционировать на частоте 845 ГГц. Таким образом, предыдущий рекорд превышен сразу на 300 ГГц. Не исключено, что следующее достижение учёных превысит отметку в 1 ТГц.
Структура транзистора
Транзистор произведён из двух полупроводников и при этом имеет уникальную структуру, благодаря которой устройство и смогло продемонстрировать столь впечатляющие скоростные характеристики. Помимо уникальной структуры, решение сотрудников Иллинойского Университета отличается и чрезвычайно тонкими компонентами. В частности, сообщается, что толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. При этом учёные «вытянули» структуру в вертикальном направлении, тем самым уменьшив дистанцию, которую необходимо преодолеть носителям заряда.
Интересно, что при комнатной температуре (25 градусов по шкале Цельсия) транзистор работает на частоте 765 ГГц, а рекордных 845 ГГц удалось добиться только лишь при снижении рабочей температуры до минус 55 градусов.
Источник новости: University of Illinois