Hynix анонсирует 54 нм чипы памяти DDR3 с плотностью 1 Гбит

Компания Hynix Semiconductor анонсировала второе поколение чипов памяти DDR3 с плотностью 1 Гбит, при создании которого используется 54 нм производственный процесс. Новый чип доступен в конфигурациях х4 и х8, а его массовое производство началось в текущем месяце.

Второе поколение памяти DDR3 с плотностью 1 Гбит, производимой Hynix, работает на том же уровне напряжения в 1,5 вольта, что и чипы предыдущего поколения. При этом новые решения потребляют на 30 процентов меньше энергии. Как ожидает производитель, это позволит снизить энергопотребление таких систем, как дата-центры, серверы и суперкомпьютеры, а также увеличить время автономной работы мобильных устройств.

Источник новости: Digitimes