Инженеры компании IBM сообщили о готовности совершить небольшую революцию в области создания кэш-памяти для процессоров, которая отличается от современной SRAM более высоким уровнем интеграции и даже большей производительностью. На данный момент IBM подготовила пока лишь 65-нм чипы памяти, но в будущем планируется наладить производство устройств по более прогрессивному техпроцессу с 45-нм проектными нормами. В массовое производство память, обозначенную как eDRAM (Embedded DRAM), планируется внедрить уже в следующем году.
На данный момент представители IBM сообщают о следующих характеристиках новой памяти:
- производство по 65-нм техпроцессу;
- использование технологии SOI (кремний-на-диэлектрике);
- латентность: 1,5 нс;
- время цикла: 2 нс.
Благодаря eDRAM-памяти разработчики микропроцессоров смогут формировать на кристалле до 48 Мбайт кэш-памяти. Этот результат в несколько раз превосходит лучшие на сегодняшний день значения – процессоры Power6, разрабатываемые самой IBM, будут иметь массив SRAM-памяти объёмом 8 Мбайт (процессоры Itanium от Intel, кстати, могут похвастать 16 Мбайт кэш-памяти).
IBM eDRAM
Так выглядит структура чипа Embedded DRAM
Новую разработку первое время планируется использовать не в чипах для персональных компьютеров, а в процессорах для мощных вычислительных систем, в том числе для суперкомпьютеров, серверов, и, возможно, мощных рабочих станций. Однако если вспомнить, что IBM является давним технологическим партнёром AMD, то нельзя исключать и появления на рынке процессоров для менее дорогих компьютеров.
Источник новости: EE Times