Intel и Micron разработали 34 нм флеш-память с плотностью записи три бита на ячейку
Корпорации Intel и Micron объявили о разработке одного из самых высокоемких решений в мире в области NAND-памяти. За основу при этом был взят уже применяющийся при создании флеш-карт и USB-накопителей 34 нм технологический процесс. Однако специалистам Intel и Micron удалось существенно расширить возможности этого процесса, благодаря чему плотность записи данных достигла показателя в 3 бита на ячейку MLC-памяти.
Разработка Intel и Micron
По словам Intel и Micron, благодаря своему достижению они смогут создать 32-гигабитный чип флеш-памяти (емкость 4 Гб), занимающий площадь менее 126 мм2. Хотя сама по себе технология сверхплотной записи 3 бита на ячейку не нова и уже используется компанией SanDisk, ее комбинация с 34 нм тех. процессом позволяет разработать не только самые маленькие, но и относительно недорогие чипы NAND-памяти, применение которых позволит существенно повысить емкость твердотельных накопителей без увеличения их габаритов.
Производством новой флеш-памяти займется компания Micron, уже представившая первые рабочие образцы этих чипов и планирующая приступить к их массовому производству осенью. Конкретные заказчики новой памяти пока не называются, хотя Intel уже применяет 34 нм технологию в своих новых SSD-накопителях, а повышение плотности записи до 3 бит на ячейку позволит увеличить емкость и одновременно снизить стоимость этих устройств. Кроме того, новая флеш-память вполне может найти применение в мобильных телефонах, медиаплеерах и сменных картах памяти.
Источник новости: Electronista