Компьютеры
15 апреля 2011, 18:08

Intel и Micron внедряют 20 нм технологию в производство NAND памяти

IT тяжеловесы Intel и Micron Technology официально представили новый, более “тонкий” 20 нм технологический процесс для производства NAND памяти. Сообщается, в частности, что новая технология позволяет выпускать чипы NAND с многоуровневыми ячейками (MLC) емкостью 8 ГБ (64 Гбит). При этом в разработке и выпуске 20 нм NAND памяти непосредственное участие приняло совместное предприятие Intel и Micron под названием IM Flash Technologies (IMFT).

NAND

Первые 8 ГБ чипы 20 нм NAND памяти от IMFT занимают площадь 118 мм2, что на 30-40 процентов меньше аналогичного показателя выпускаемых в настоящее время 25 нм модулей с той же емкостью. Напомним, 25 нм NAND память лишь относительно недавно появилась на рынке, а среди ее активных сторонников значатся, в том числе, Intel и Micron

Согласно указанным производителям, новый 20 нм техпроцесс обеспечивает примерно тот же уровень производительности и долговечности, что и в случае с 25 нм NAND технологией предыдущего поколения. При этом, естественно, реализуется более высокий показатель плотности в том же объеме. В настоящее время 8 ГБ чипы 20 нм NAND выпускаются в виде опытных образцов, а их серийное производство должно начаться во второй половине года. Однако массовое появление продуктов на основе данной памяти ожидается не ранее будущего года.

Источник новости: Intel