Компании Intel и Corning заключили соглашение по взаимному сотрудничеству с целью разработки подложек для производства фотошаблонов с ультранизким термическим расширением, требующихся для процесса ультрафиолетовой вакуумной (Extreme Ultraviolet - EUV) литографии и получения транзисторных структур, размеры которых менее 40 нм.
Intel разрабатывает техпроцесс нового поколения
EUV-литография является ключевым моментом для технологии производства в течение следующих нескольких лет. После запуска первого устройства для проведения EUV литографии в августе прошлого года, компания Intel постепенно "выводит" технологию из стен лабораторий и начинает подготовку к реальному использованию. Первые чипы, произведенные с использованием EUV, появятся только в 2009 году.
Соглашение с Corning нацелено на разработку подложек, которые затем будут использоваться для получения бездефектных EUV фотошаблонов, дающих возможность массового производства 32-нм элементов, используя EUV литографию, которая изначально предназначалась для изготовления полупроводниковых устройств с размерами транзисторов порядка 30-40 нм.
На сегодняшний момент, в производстве используется свет с длиной волны 193 нм, позволяющий изготовлять 80-нм транзисторы, намечен переход на 65-нм производство. Согласно Intel, 193-нм свет позволяет получать транзисторы размерами не менее 50 нм, а использование света с 13.5-нм длиной волны - гораздо более миниатюрные элементы.
Использование именно шаблонов с низким коэффициентом термического расширения крайне необходимо для получения "четких" границ элементов. Нагрев в процессе литографии на сегодняшний день приводит к расширению фотошаблона на 1.5 нм при возрастании температуры на 10 градусов Цельсия, что пока не является критичным фактором, но при переходе на более прогрессивный технологический процесс, такое увеличение размеров будет являться недопустимым.
Источник новости: Tom's Hardware Guide